[发明专利]MEMS麦克风及其制造方法有效

专利信息
申请号: 202010090860.4 申请日: 2020-02-13
公开(公告)号: CN111277937B 公开(公告)日: 2021-03-12
发明(设计)人: 傅思宇;陆晓龙;刘国安;王宇 申请(专利权)人: 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: mems 麦克风 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供基底,在所述基底的表面上形成振膜材料层,并图形化所述振膜材料层以形成振膜;

在所述振膜和所述振膜暴露出的基底的表面上依次形成第二介质层、第一隔离层和背板材料层,并图形化所述背板材料层和所述第一隔离层,以形成背板,且所述背板中形成有多个贯穿所述背板材料层和所述第一隔离层的声孔;

在所述背板和所述声孔的表面上覆盖第二隔离层,并刻蚀去除各个所述声孔底部上的部分第二隔离层,剩余的第二隔离层覆盖所述背板的上表面、各个所述声孔的侧壁及各个所述声孔的部分底部上,且在每个所述声孔的底部处形成相对所述声孔的侧壁上的第二隔离层凸出的屋檐遮挡部;

经各个所述声孔去除部分或全部的所述第二介质层,以形成位于所述振膜和所述背板之间的空腔,并保留覆盖所述背板的上表面和各个所述声孔的侧壁上的第二隔离层。

2.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,所述振膜材料层选自金属、未掺杂的多晶硅、掺杂的多晶硅、未掺杂的非晶硅和掺杂的非晶硅中的至少一种;所述背板材料层选自金属、未掺杂的多晶硅、掺杂的多晶硅、未掺杂的非晶硅和掺杂的非晶硅中的至少一种。

3.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,在所述基底的表面上形成振膜材料层之前,先在所述基底的表面上形成第一介质层。

4.如权利要求1或3所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,所述第二介质层为将所述振膜掩埋在内并仅覆盖所述空腔区域的图形化结构,所述第一隔离层覆盖在所述第二介质层和所述第二介质层暴露出的所述基底的表面上,且在形成所述空腔时,经各个所述声孔去除全部的所述第二介质层;或者,所述第二介质层为覆盖所述振膜及所述振膜外围的基底上的膜层结构,所述第一隔离层覆盖在所述第二介质层上,且在形成所述空腔时,经各个所述声孔去除部分所述第二介质层,以使得所述空腔外围还剩余有部分第二介质层以用作支撑所述背板的边缘的支撑结构。

5.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,采用湿法刻蚀工艺经各个所述声孔去除部分或全部的所述第二介质层,且在所述湿法刻蚀工艺的过程中一并去除所述屋檐遮挡部。

6.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,所述屋檐遮挡部覆盖在所述声孔底部上的部分所述第二介质层上并环绕所述声孔底部一周,且所述屋檐遮挡部相对于所述声孔的侧壁上所保留的第二隔离层而凸出的长度为1μm~2μm。

7.如权利要求1所述的MEMS麦克风的制造方法,其特征在于,在形成所述空腔之前或之后,还包括:从所述基底背向所述振膜的一侧对所述基底进行刻蚀,直至暴露出所述振膜面向所述基底的表面,以形成背腔。

8.一种MEMS麦克风,其特征在于,采用权利要求1~7中任一项所述的MEMS麦克风的制造方法,包括:

基底;

振膜,所述振膜设置在所述基底上;

背板,设置在所述振膜上方且与所述振膜之间形成有空腔,所述背板包括面向所述振膜设置的第一隔离层以及形成于所述第一隔离层上的背板材料层,所述背板中形成有多个贯穿所述背板材料层和所述第一隔离层的声孔;

第二隔离层,覆盖在所述背板材料层的上表面以及各个所述声孔的侧壁上。

9.如权利要求8所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述MEMS麦克风还包括第一介质层,所述第一介质层夹设在所述基底和所述振膜的边缘之间,以使得所述振膜的边缘被绝缘地支撑在所述基底上;和/或,所述MEMS麦克风还包括第二介质层,所述第二介质层夹设在所述背板的边缘和所述振膜之间以及所述背板的边缘和所述基底之间,以使得所述背板的边缘被绝缘地支撑在所述振膜和所述基底上。

10.如权利要求9所述的MEMS麦克风,其特征在于,所述基底背向所述振膜的一面上还形成有背腔,所述背腔贯穿所述第一介质层并暴露出所述振膜面向所述基底的表面。

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