[发明专利]一种切旁瓣方法及装置在审
申请号: | 202010090929.3 | 申请日: | 2020-02-13 |
公开(公告)号: | CN111366918A | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | 吴永伦;哈章;王兵;卢俊华;李盾;王建;龙小专 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | G01S13/00 | 分类号: | G01S13/00;G01S7/35;G01S7/285;H01Q21/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 李想 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 切旁瓣 方法 装置 | ||
本发明公开了一种切旁瓣方法和使用该方法的装置,涉及阵列数字波束形成辐射源接收领域,包括大于等于2面的DBF接收阵列,各所述DBF接收阵列包括形成主波束的通道,抽取部分所述通道在形成主波束的同时形成切旁瓣波束;采集所述各阵列通道数据,形成各阵列的主波束,抽取各阵列一定数目的通道数据,形成各阵列第一切旁瓣波束;处理各第一切旁瓣波束得到第二切旁瓣波束,所述第二切旁瓣波束用于对主波束副瓣来波方向的信号进行副瓣抑制;使用第二切旁瓣波束处理各主波束完成对主波束覆盖方向的信号接收;由于切旁瓣用通道数据共用主波束用通道数据,各DBF接收阵列不单独设置切旁瓣通道,大幅降低了系统设备规模和成本。
技术领域
本发明涉及阵列数字波束形成辐射源接收领域,尤其涉及一种切旁瓣方法 及装置。
背景技术
在辐射源接收领域,阵列DBF技术因灵敏度高、空域覆盖宽的特点得到 了广泛应用。但高灵敏度和宽空域覆盖的同时也更容易受到非覆盖区域入射信 号的影响,因此,DBF接收阵列必须配置多个指向的切旁瓣天线实现非覆盖区 域的副瓣抑制。
如图1所示,现有设计中,多个DBF接收阵列均采用独立的切旁瓣天线 组实现各自的副瓣抑制,天线、接收通道和阵列处理资源是单阵列的整倍数, 系统规模大、成本高,且当各阵列距离较近时,可能存在阵列之间相互遮挡造 成切旁瓣天线波束方向图变化而导致副瓣不能完全抑制的情况。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何通过不单独设置切旁瓣天线、通道和 处理资源,也能完成非覆盖区域的副瓣抑制并得到主波束覆盖方向的信号,以 减少系统规模。
本发明提供的一种切旁瓣方法,包括大于等于2面的DBF接收阵列,各所 述DBF接收阵列包括形成主波束的通道,抽取部分所述通道在形成主波束的 同时形成切旁瓣波束;采集所述各阵列通道数据,部分通道数据直接输出用于 形成第一切旁瓣波束,另外全部通道数据经数据选择模块选择和组合后在波束 形成模块形成主波束,处理各第一切旁瓣波束得到第二切旁瓣波束,所述第二 切旁瓣波束用于对主波束副瓣来波方向的信号进行副瓣抑制;使用第二切旁瓣 波束处理各主波束完成对主波束覆盖方向的信号接收。
通过抽取各DBF接收阵列一定数目的阵元数据,形成各主波束副瓣抑制使 用的切旁瓣波束,不单独设置切旁瓣资源,大幅降低了系统设备规模和成本, 避免了可能存在的阵列之间相互遮挡问题,实现了有效副瓣抑制。
更进一步的,所述形成各主波束和第一切旁瓣波束的方法为,将采集的各 DBF接收阵列的全部通道数据直接输出用于形成主波束,抽取各DBF接收阵 列的部分通道数据选择组合后用于形成第一切旁瓣波束;或将采集的各DBF 接收阵列的部分通道数据直接输出用于形成第一切旁瓣波束,将采集的各DBF 接收阵列的全部通道数据选择组合后用于形成主波束。
更进一步的,所述第二切旁瓣波束的覆盖角度为360°,以对主波束的进行 全向切旁瓣。
更进一步的,所述各DBF接收阵列的主波束和切旁瓣波束的形成角度为各 DBF接收阵列法向
更进一步的,所述DBF阵列为均匀阵列或非均匀阵列。
本发明还提供了一种切旁瓣装置,包括至少两个DBF接收阵列、接收通道、 采集模块、数据选择模块、波束形成模块和波束处理模块,所述DBF接收阵 列包括形成主波束的通道,抽取部分所述通道同时形成切旁瓣波束;
所述采集模块用于采集各通道的数据;
所述数据选择模块用于对采集模块采集的通道数据进行选择和/或组合;
所述波束形成模块用于主通道数据和切旁瓣通道数据波束形成,形成主波 束和第一切旁瓣波束;
所述波束处理模块用于处理主波束数据和第二切旁瓣波束数据,得到主波 束覆盖方向的信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第二十九研究所,未经中国电子科技集团公司第二十九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010090929.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。