[发明专利]光电二极管

说明书

本公开的各实施例涉及光电二极管。光电二极管包括第一掺杂剂类型的第一衬底层和在第一衬底层的顶部上的第二掺杂剂类型的第二衬底层。在包括第一衬底层和第二衬底层的半导体衬底中提供半导体壁。半导体壁包括：两个外半导体壁和定位在两个外半导体壁之间的至少一个内半导体壁。每个内半导体壁位于具有更长长度的两个半导体壁之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月14日提交的法国专利申请号1901504的优先权，其内容在法律可允许的最大范围内通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电子组件，并且更具体地涉及光电二极管。

背景技术

光电二极管是一种半导体组件，具有检测来自光域的辐射并将其转换为电信号的能力。更具体地说，光在光电二极管的有源区内形成电子。然后必须通过电路将这些电子取回。

在包括光电二极管的2D成像传感器或3D成像传感器中，在捕获场景期间在给定时刻形成的电子存储在存储器中，然后通过电路读取电子量以获得关于场景的数据(datum)。

为了使关于场景的数据精确并与给定时刻相对应，最好使电子迅速向存储器移动。

发明内容

在一个实施例中，光电二极管包括两个外半导体壁和至少一个内半导体壁，每个内半导体壁位于两个较长的壁之间。

根据一个实施例，外壁和至少一个内壁沿着光电二极管的整个高度延伸。

根据一个实施例，外壁和至少一个内壁延伸穿过其中形成有光电二极管的整个衬底。

根据一个实施例，光电二极管包括n行内壁，n是大于或等于1的整数。

根据一个实施例，当从上方观察时，同一行的内壁具有基本相同的长度。

根据一个实施例，光电二极管包括行i的内壁的2^(i-1)，其中i是1至n的整数。

根据一个实施例，行i的内壁具有基本上等于行i-1的内壁的长度的3/4，其中i是被包括在2至n的范围内的整数。

根据一个实施例，负电压被施加到内壁和外壁。

根据一个实施例，包括外壁的外半导体壁至少部分地围绕光电二极管的有源区。

根据一个实施例，内壁通过外壁中的一个外壁互连。

根据一个实施例，外壁完全围绕光电二极管的有源区。

根据一个实施例，当从上方观察时，内壁和外壁具有被包括在大约100nm和大约300nm的范围内的宽度。

根据一个实施例，当从上方观察时，内壁与最接近的内壁或外壁隔开基本上等于其宽度的五倍的距离。

附图说明

在以下通过举例而非限制的方式给出的对特定实施例的描述中，将参考附图对上述特征和优点以及其他特征和优点进行详细描述，其中：

图1A和1B通过顶视图和剖视图示出了光电二极管的实施例。

图2示出了图1A和1B的光电二极管中的电势V作为图1A和1B的实施例的光电二极管中的位置的函数。

图3通过顶视图示出了光电二极管的另一实施例。

图4示出了光电二极管的另一实施例；和

图5示出了图4的光电二极管中的电势V作为图4的实施例的光电二极管中的位置的函数。

具体实施方式