[发明专利]整流电路以及电源装置

说明书

在整流电路(1)中，在导通晶体管(AT1)的情况下，电流从电源(AV1)流向线圈(AC1)。然后，在截止晶体管(AT1)的情况下，第二整流元件电流从线圈(AC1)流向第二整流元件(SR1)。

技术领域

以下公开涉及一种整流电路。

背景技术

已知在用于电源电路的整流元件中发生过载电流。该过载电流通过施加阻止整流元件的电流的逆方向电压而发生。因该过载电流发生电源电路的损耗而进行研究各式各样的对策方法。

在专利文献1以及2公开了一种减少过载电流为目的的电路。例如，在专利文献1所公开的电路中，为了减少过载电路，设有并联连接在整流元件的二极管和变压器。在专利文献2中也公开了与专利文献1同样的电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-36075号公报

专利文献2：日本特开2013-198298号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

然而，如后述那样，关于用于减少整流电路中的过载电流的方法，仍有改善的空间。本公开的一形态的目的是有效地减少整流电路中的过载电流。

解决问题的手段

为了解决上述课题，本公开的一形态所涉及的整流电路，是使整流电流从第二端子流向第一端子的整流电路，其特征在于，具备：第三端子，配置在上述第一端子和上述第二端子之间；第一整流元件，连接于上述第一端子和上述第二端子；第二整流元件，连接于上述第一端子和上述第三端子；线圈，连接于上述第三端子和上述第二端子；晶体管，漏极或集电极连接于上述第三端子；以及电源，正极连接于上述第二端子，负极连接于上述晶体管的源极或发射极。

发明效果

依据本公开的一形态所涉及的整流电路，可以有效地减少过载电流。

附图说明

图1是表示实施方式1的电源电路的电路结构的图。

图2是表示各电压/电流的波形的图。

图3是放大显示了图2的各图表的图。

图4(a)～(d)是分别为了说明在第一至第四工序中的各电流的路径的图。

图5是表示在比较例的电源电路中的各电压/电流的波形的图。

图6是表示实施方式2的电源装置的图。

具体实施方式

〔实施方式1〕

以下对实施方式1的整流电路1以及电源电路10进行说明。为了便于说明，对与在实施方式1中说明的部件具有相同功能的部件，在以后的各实施方式中，标注相同的附图标记，不重复对它们的详细的说明。

(整流电路1的目的)

如上述所述，在整流元件中发生过载电流。已知过载电流主要在具有PN接合的整流元件会发生。

另一方面，作为未具有PN接合的半导体元件的例子,可以列举SiC-SBD(SchottkyBarrier Diode)或GaN-HEMT(High Electron Mobility Transistor)等。在这些半导体装置中不会发生由于PN接合所引起的过载电流。然而，逆方向电压的施加导致的寄生电容的充电电流作为过载电流流动。整流电路1被创作为了减少这些过载电流为目的。

(用语的定义)

在说明整流电路1之前，在本说明书中，各用语定义如下。