[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序

说明书

本发明提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序，对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部。基板处理装置具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置部，其在处理室中支承基板；气体供给部，其向处理室供给气体；高频电力供给部，其供给规定频率的高频电力；第一谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第一导体构成；第二谐振线圈，其以覆盖处理室的方式卷绕，并且由在供给了高频电力时在处理室中形成等离子体的第二导体构成；和控制部，其以向第一谐振线圈供给电力的电力供给期间和向第二谐振线圈供给电力的电力供给期间不重叠的方式，控制高频电力供给部。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质、程序。

背景技术

近年来，闪存等半导体器件具有高集成化的倾向。与之相随地，图案尺寸显著地被细微化。细微化造成了深槽的纵横尺寸比变高等影响。在该情况下，需要使气体到达深槽的内侧。

例如，在专利文献1中公开了使用等离子体激发的处理气体对形成在基板上的图案表面进行处理的记载。

专利文献1：日本特开2014-75579号公报

发明内容

在对具有纵横尺寸比高的槽的膜进行等离子体处理的情况下，可以想到等离子体没法到达至槽的内侧。可以想到等离子体在槽的上方失活为原因之一。在该情况下，由于槽底部的处理不充分，所以槽内的处理会变得不均匀。

本发明解决上述课题，其目的在于提供一种对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部的技术。

提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；基板载置部，其在上述处理室中支承基板；气体供给部，其向上述处理室供给气体；高频电力供给部，其供给规定频率的高频电力；第一谐振线圈，其以覆盖上述处理室的方式卷绕，并且由在供给了上述高频电力时在上述处理室中形成等离子体的第一导体构成；第二谐振线圈，其以覆盖上述处理室的方式卷绕，并且由在供给了上述高频电力时在上述处理室中形成等离子体的第二导体构成；和控制部，其以向上述第一谐振线圈供给电力的电力供给期间和向上述第二谐振线圈供给电力的电力供给期间不重叠的方式，控制上述高频电力供给部。

发明效果

目的在于提供一种对于纵横尺寸比高的槽也能够均匀地处理槽的内部的技术。

附图说明

图1是基板处理装置的概略剖视图。

图2是说明基板处理装置的等离子体生成原理的说明图。

图3是说明基板处理装置的等离子体生成原理的说明图。

图4是说明气体供给部、高频电力供给部的动作的说明图。

图5是表示基板处理装置的控制部(控制机构)的结构的图。

图6是形成有在基板处理工序中被处理的槽(沟道)的基板的说明图。

图7是说明基板处理工序的流程图。

具体实施方式

(1)基板处理装置的结构

以下使用图1至图5来说明基板处理装置。本实施方式的基板处理装置构成为主要对形成在基板面上的膜进行氧化处理。

(处理室)