[发明专利]显示装置在审
| 申请号： | 202010092264.X | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111628098A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 河载兴;金锺祐;李炳德 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件；以及
密封构件，位于所述发光元件上并且密封所述发光元件，
其中，所述密封构件包括：第一无机层，位于所述发光元件上并且具有1.58至1.64的折射率；有机层，位于所述第一无机层上；以及第二无机层，位于所述有机层上并且具有1.58至2.00的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一无机层包括氮氧化硅、氮化硅和氧化硅中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层的厚度为0.5μm至1.5μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括具有1.58至1.64的折射率的第一子无机层以及具有1.80至2.00的折射率的第二子无机层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的厚度与所述第二子无机层的厚度的比为3:1至5:1。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一子无机层的所述厚度为0.5μm至0.6μm。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第二子无机层的所述厚度为0.1μm至0.2μm。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一子无机层包括氮氧化硅或氧化硅。
10.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二子无机层包括氮化硅、氧化铝和氧化钛中的至少一种。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二无机层包括不包含Si-O键的氮化硅，并且具有0.15μm至0.25μm的厚度。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层的氢含量小于或等于2.8×1022原子/cm3。
13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，对于整个所述第二无机层，氮与硅的摩尔比为1至1.3。
14.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二无机层具有2.3g/cm3至2.6g/cm3的密度。
15.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件；以及
密封构件，位于所述发光元件上并且密封所述发光元件，
其中，所述密封构件包括：第一无机层；有机层，位于所述第一无机层上；以及第二无机层，位于所述有机层上，并且
其中，所述第二无机层：包括不包含Si-O键的氮化硅；具有0.15μm至0.25μm的厚度；对于整个所述第二无机层，具有1至1.3的氮与硅的摩尔比；并且具有小于或等于2.8×1022原子/cm3的氢含量。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一无机层的折射率为1.58至1.64，并且所述第二无机层的折射率为1.58至2.00。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010092264.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
