[发明专利]一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法

权利要求书

1.一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：该方法的具体实施步骤如下：

步骤1)通过选取AX、BX₂、CX、DX₃化合物中的两种或两种以上化合物置于有机溶剂中合成浓度为0.1mol/L～5mol/L的有机-无机卤化物钙钛矿或纯无机钙钛矿前驱体溶液；然后通过旋涂法、水热合成法或定向凝固法钙钛矿合成方法合成钙钛矿薄膜或合成粒径在10nm～100mm的钙钛矿单晶，化学式为ABX₃、A₂C₁D₁X₆或A₂B_xC_1-xDX₆，0x1，A为中心阳离子、B、C、D为配位阳离子、X为卤素离子；

步骤2)利用热扩散、离子注入、等离子电离或碰撞电离掺杂方法将尺度在298pm以下的分子、离子、原子激发为具备足够的能量通过碰撞进入钙钛矿材料的八面体或四面体间隙之中；当为Plasma电离时，惰性气体辉光，掺杂气体被电离激发后形成高能量原子、分子或离子后，将其掺杂到钙钛矿中，通过该处理形成结构稳定的钙钛矿材料；

步骤3)根据钙钛矿材料的要求，在完成步骤2)的基础上，重复1)～2)的过程，最终得到符合性能要求的钙钛矿材料。

2.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：所述的钙钛矿合成方法包括一步法、两步法、溶液合成、蒸镀、化学气相沉积、溶胶凝胶合成、水热/溶剂热合成、电解合成、定向凝固工艺、化学气相沉积、低温固相合成、热压烧结以及放电。

3.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：所述的掺杂手段包括温扩散、离子注入、化学催化分解、碰撞电离法、光电离法、热电离法、等离子法、电解法、化学电离法、气相沉积法、Plasma电离。

4.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX₃、A₂C₁D₁X₆或A₂B_xC_1-xDX₆结构的钙钛矿材料中，其中A包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra以及过渡金属和其它+1,+2价的分子中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX₃、A₂C₁D₁X₆或A₂B_xC_1-xDX₆结构的钙钛矿材料中，其中B包括H,Li,Na,K,Rb,Cs,Fr，Ag，C,Si,Ge,Sn,Pb,Fil，Ca，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Cu，Zn，Ga，As，Se，Sb，Bi，In，Te，Po，Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Ra，Zr，Nb，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Ga，Tb，Dy，Ho，Er，Tm以及过渡金属和其它+1，+2，+3，+4价的离子或分子中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的一种改变钙钛矿晶胞参数提高钙钛矿性能的方法，其特征在于：在ABX₃、A₂C₁D₁X₆或A₂B_xC_1-xDX₆结构的钙钛矿材料中，其中X包括F，O，Cl，Br，，At元素中的至少一种。