[发明专利]具有半导体吸收体层的全向高色度红色结构色料

权利要求书

1.全向高色度红色结构色料，其包含：

多层堆叠体，其具有：

反射芯层；

横过所述反射芯层延伸的半导体吸收体层；和

横过所述半导体吸收体层延伸的高折射指数介电层；

所述多层堆叠体反射在a*b*Lab颜色映射上具有介于0-40°之间的预定色调的单频带可见光，当从垂直于所述多层堆叠体的外表面的介于0-45°之间的所有角度观察时，所述单频带可见光在所述a*b*Lab颜色映射上具有在0-40°之间的所述预定色调内的色调偏移，

其中单频带可见光具有小于200nm的可见半宽度(FWHM)，且

其中，所述高折射指数介电层具有厚度D，该厚度D遵循0.1QWD≤4QW的关系，其中QW是目标波长的四分之一波长厚度，所述目标波长在所述a*b*Lab颜色映射上具有0-40°内的所述预定色调。

2.权利要求1的全向高色度红色结构色料，其中，所述反射芯层具有介于50-200纳米之间的厚度，包含端值。

3.权利要求2的全向高色度红色结构色料，其中，所述反射芯层由选自以下的反射金属制成：Al、Ag、Pt、Sn、Cr及其组合。

4.权利要求2的全向高色度红色结构色料，其中，所述反射芯层由选自以下的彩色的金属制成：Au、Cu、黄铜、青铜及其组合。

5.权利要求2的全向高色度红色结构色料，其中，所述半导体吸收体层具有介于5-500纳米之间的厚度，包含端值；且由以下的材料制成：非晶的Si、Ge及其组合。

6.权利要求1的全向高色度红色结构色料，其中，所述反射芯层是中心反射芯层且所述半导体吸收体层是横过所述中心反射芯层的相对侧延伸的一对半导体吸收体层，所述中心反射芯层夹在所述一对半导体吸收体层之间。

7.权利要求6的全向高色度红色结构色料，其中，所述高折射指数介电层是一对高折射指数介电层，所述中心反射芯层和所述一对半导体吸收体层夹在所述一对高折射指数介电层之间。

8.权利要求1的全向高色度红色结构色料，其中，单频带可见光具有大于80的色度。

9.用于制备全向高色度红色结构色料的方法，该方法包括：

通过以下制造多层堆叠体：

干式沉积反射芯层；

干式沉积横过该反射芯层延伸的半导体吸收体层；和

湿式沉积横过该半导体吸收体层延伸的高折射指数介电层；

该多层堆叠体反射在a*b*Lab颜色映射上具有介于0-40°之间的预定色调的可见光，且当从垂直于该多层堆叠体的外表面的介于0-45°之间的所有角度观察时，该可见光在该a*b*Lab颜色映射上具有在0-40°之间的预定色调内的色调偏移，且

其中，单频带可见光具有小于200nm的可见半宽度(FWHM)，且其中，所述高折射指数介电层具有厚度D，该厚度D遵循0.1QWD≤4QW的关系，其中QW是目标波长的四分之一波长厚度，所述目标波长在所述a*b*Lab颜色映射上具有0-40°内的所述预定色调。

10.权利要求9的方法，其中，所述高折射指数介电层具有厚度D，该厚度D遵循0.1QWD≤4QW的关系，其中QW是目标波长的四分之一波长厚度，所述目标波长在a*b*Lab颜色映射上具有0-40°内的预定色调。

11.权利要求9的方法，其中，该反射芯层具有介于50-200纳米之间的厚度，包含端值，且由选自以下的反射金属制成：Al、Ag、Pt、Sn及其组合。

12.权利要求11的方法，其中，该半导体吸收体层具有介于5-500纳米之间的厚度，包含端值。