[发明专利]一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件

权利要求书

1.一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件，其元胞结构包括：

P型衬底（1），位于P型衬底（1）上的埋氧层区（2），位于埋氧层上的N型半导体表面耐压区（6），位于N型半导体表面耐压区（ 6） 中的P型半导体基区（3）、第一栅极区、N型半导体缓冲区（9）与第二栅极区；其中，所述P型半导体基区（3）与第一栅极区相邻接，所述N型半导体缓冲区（9）被第二栅极区分割为两个子区；所述第一栅极区和第二栅极区均为立体槽栅区，第一栅极区由第一栅介质层（8）、填充于第一栅介质层中的第一多晶硅栅区（7）及覆盖于第一多晶硅栅区上的栅极金属（17）组成，第二栅极区由第二栅介质层（15）、填充于第二栅介质层中的第二多晶硅栅区（14）及覆盖于第二多晶硅栅区上的浮空短接金属（19）组成；

所述P型半导体基区（3）中设置有相邻接的重掺杂N型半导体源区（5）与重掺杂P型半导体欧姆接触区（4），所述重掺杂N型半导体源区（5）与重掺杂P型半导体欧姆接触区（4）上覆盖发射极金属（16）；

所述N型半导体缓冲区（9）的第一子区中设置有P型半导体区（10），P型半导体区（10）中设置有第一重掺杂N型半导体欧姆接触区（13），所述P型半导体区（10）与第一重掺杂N型半导体欧姆接触区（13）均与第二栅介质层（15）相接触、且两者上覆盖集电极金属（18）；所述N型半导体缓冲区（9）的第二子区中设置有重掺杂P型半导体集电区（11）、第二重掺杂N型半导体欧姆接触区（12），所述重掺杂P型半导体集电区（11）上覆盖集电极金属（18），所述第二重掺杂N型半导体欧姆接触区（12）通过浮空短接金属（19）与第二栅极区相短接。