[发明专利]一种电可调控波长的纳米激光器

权利要求书

1.一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述的纳米激光器包括单根单晶硫化镉纳米带、泵浦光源、电压源表、ITO电极；

所述的硫化镉纳米带横跨ITO电极沟道，并通过ITO电极对沟道部分硫化镉施加外加偏压；

所述的ITO电极具有预先设计的图案，使用光刻工艺制备。

2.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述的单晶硫化镉纳米带的厚度为100-120纳米，宽度为3-6微米，长度为13-17微米。

3.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述的泵浦光源为470纳米的飞秒光，其重复频率为1KHZ，脉宽为120fs。

4.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述信号光源的波长范围为510～520纳米。

5.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述的电压源表为Keithley 2400。

6.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于，单晶硫化镉纳米带的制备方法，包括下列步骤：

将CdS粉末作为源放入陶瓷舟中，然后将陶瓷舟放入炉中加热，最后将镀有金膜的硅片放置在石英管的下游位置进行沉积；在生长之前，用高纯氩气以45-65sccm的流量冲洗石英管腔；然后在25-35分钟内将炉温升至780-820℃，并保持恒温80-120分钟；整个生长过程保持在280-320Torr的压力下；最后，将炉膛自然冷却至室温。

7.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：所述CdS粉末的纯度大于等于99.999％；所述高纯氩气的纯度大于等于99.999％。

8.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：ITO电极的沟道长度为6-7微米。

9.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于，所述的ITO电极是通过下列步骤制备的：

取整块的ITO玻璃，切割成特定尺寸，旋涂一层光刻胶，经过前烘曝光后烘显影后，在光刻胶上形成具有预先设计的图案；最后将ITO玻璃放入ITO刻蚀液中刻蚀，经过洗涤，干燥后可形成具有图案的ITO电极；本过程使用的光刻胶为负光刻胶。

10.根据权利要求1所述的一种电可调控波长的纳米激光器，其特征在于：电调控的波长幅度可达到10纳米。