[发明专利]D类跨导放大器

权利要求书

1.一种电路，所述电路包括：

输入端子；

输出端子；

比较器，所述比较器包括第一输入端子、第二输入端子和输出端子，其中所述比较器的所述第一输入端子电耦合到所述电路的所述输入端子，并且所述比较器的所述第二输入端子电耦合到所述比较器的所述输出端子；

第一晶体管，所述第一晶体管电耦合到所述比较器的所述输出端子；

第二晶体管，所述第二晶体管电耦合到所述比较器的所述输出端子；

电感器，所述电感器电耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管；

第一电阻器，所述第一电阻器电耦合在所述电感器和所述电路的所述输出端子之间；和

差分放大器，所述差分放大器包括电耦合到所述第一电阻器的第一端子的第一输入端子、电耦合到所述第一电阻器的第二端子的第二输入端子以及耦合到所述比较器的所述第一输入端子以向所述比较器提供自振荡反馈信号的输出端子。

2.根据权利要求1所述的电路，所述电路进一步包括：

第二电阻器，所述第二电阻器包括电耦合到所述比较器的所述输出端子的第一端子以及电耦合到所述比较器的所述第二输入端子的第二端子；和

第三电阻器，所述第三电阻器包括电耦合到所述比较器的所述第二输入端子和所述第二电阻器的所述第二端子的第一端子以及电耦合到接地端子的第二端子。

3.根据权利要求2所述的电路，所述电路进一步包括：

反相器，所述反相器包括电耦合到所述比较器的所述输出端子和所述第二电阻器的所述第一端子的输入端子以及电耦合到所述第二晶体管的输出端子。

4.根据权利要求3所述的电路，其中：

所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每个是n沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)，

所述比较器的所述输出端子电耦合到所述第一晶体管的栅极端子和所述反相器的所述输入端子，

所述反相器的所述输出端子电耦合到所述第二晶体管的栅极端子，并且

所述第一晶体管的源极端子电耦合到所述第二晶体管的漏极端子和所述电感器。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述比较器被包括在施密特触发器中。

6.根据权利要求1所述的电路，所述电路进一步包括：

第四电阻器，所述第四电阻器耦合在所述比较器的所述第一输入端子和所述差分放大器的所述输出端子之间；和

第五电阻器，所述第五电阻器耦合在所述电路的所述输入端子和所述比较器的所述第一输入端子之间。

7.根据权利要求1所述的电路，所述电路进一步包括：

电容器，所述电容器对来自所述第一电阻器的输出电压进行滤波，所述电容器包括电耦合到所述第一电阻器的所述第二端子的第一端子以及电耦合到接地端子的第二端子。

8.根据权利要求7所述的电路，所述电路进一步包括：

第三电阻器，所述第三电阻器提供负载阻抗，所述第三电阻器包括电耦合到所述第一电阻器的所述第二端子和所述电容器的所述第一端子的第一端子以及电耦合到所述接地端子的第二端子。

9.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述比较器的所述第一输入端子为反相输入端子；并且

所述比较器的所述第二输入端子为非反相输入端子。

10.根据权利要求1所述的电路，其中：

所述差分放大器的所述第一输入端子为非反相输入端子；并且

所述差分放大器的所述第二输入端子为反相输入端子。