[发明专利]一种硅碳负极及其制备方法

权利要求书

1.一种硅碳负极的制备方法，其特征在于：使用等离子体平台，以含硅材料作为硅源，以含氮气氛为气源，对碳材料进行氮元素掺杂并沉积硅基纳米颗粒，得到所述的硅碳负极；所述的含硅材料为单晶硅或氧化硅中的至少一种；所述的碳材料为软碳、硬碳或石墨中的一种；所述的碳材料为多孔结构，所述的多孔结构为微孔、介孔或大孔中的至少一种；所述的沉积温度为150-700℃，沉积时间为1-8小时；所述等离子体平台为网罩式，包括样品台（2）、支架（3）、围栏（4），所述的支架（3）固定于所述的围栏（4）内，所述的样品台（2）固定于所述的支架（3）上，所述的碳材料置于样品台上，所述围栏（4）的高度大于样品台（2）的高度，所述含硅材料覆盖于围栏（4）上，并位于碳材料上方；所述围栏（4）上分布有若干通孔；所述支架（3）为绝缘材质，所述围栏（4）与样品台（2）均为金属材质。

2.根据权利要求1所述的硅碳负极的制备方法，其特征在于：所述的含氮气氛包括含氮气体，所述的含氮气体为氮气或氨气中的一种；所述的含氮气氛还包括基础气体，所述的基础气体为氢气或氩气中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的硅碳负极的制备方法，其特征在于：所述支架（3）采用陶瓷材质；所述样品台（2）的顶部采用介电陶瓷材料；所述样品台（2）的熔点≥800℃。

4.根据权利要求1所述的硅碳负极的制备方法，其特征在于：所述围栏（4）的厚度小于0.5cm；所述样品台（2）与围栏（4）的高度之差为1-5cm。

5.根据权利要求1所述的硅碳负极的制备方法，其特征在于：所述通孔形状为圆形或多边形中的一种。

6.权利要求1-5中任一制备方法制备所得硅碳负极。