[发明专利]磁传感器电路在审
申请号: | 202010092943.7 | 申请日: | 2020-02-14 |
公开(公告)号: | CN111580021A | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 挽地友生 | 申请(专利权)人: | 艾普凌科有限公司 |
主分类号: | G01R33/02 | 分类号: | G01R33/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;姜冰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 电路 | ||
提供即使磁场的检测轴为多轴,也不使抑制噪声的效果降低,而将延迟时间的增大抑制得较小的磁传感器电路。磁传感器电路是对从多轴的磁场检测轴各自得到的检测信号进行分时处理的磁传感器电路,具备具有至少两个磁传感器的磁检测部、切换电路、放大器、比较器、控制电路及输出端子。切换电路选择传感器选择信号表示的磁传感器并输出检测信号。控制电路将传感器选择信号输出到切换电路,并且在从切换电路输出的信号的信号电平高于基准电平的次数达到设定为多次的设定次数的情况下,判断为检测到所述磁场。
技术领域
本发明涉及磁传感器电路。
背景技术
已知检测磁场的磁传感器电路。磁传感器电路具有检测磁场的检测轴,能够检测沿着该检测轴的方向的磁场。例如,提出了能够检测三个方向的磁场的磁传感器电路(例如,参照专利文献1)。
在专利文献1中记载的磁传感器电路例如用于检测因诱发设备的误动作而从外部施加的非正常磁场的目的。上述磁传感器电路无论从哪个方向被施加了非正常磁场,只要x轴、y轴、z轴的任何一个的磁通密度超过既定的阈值,就能够检测到被施加了非正常磁场的情况。
【现有技术文献】
【专利文献】
【专利文献1】美国专利第9664752号说明书。
发明内容
【发明要解决的课题】
但是,在专利文献1中记载的磁传感器电路在检测所施加的非正常磁场时的检测速度这一点上还存在改善的余地。若更具体地说明,则上述磁传感器电路是间歇驱动,所以存在与连续驱动的磁传感器电路相比检测速度慢的课题。另外,为了迅速地检测非正常磁场,希望从磁通密度超过既定的阈值开始到输出逻辑信号发生变化为止的时间(以下为“延迟时间”)也尽可能短。
在此,对现有的磁传感器电路的延迟时间进行说明。图4(A)~图4(E)是现有的磁传感器电路的时序图的一个示例。在此,图4(A)~(C)所示的磁通密度Bx、By及Bz分别表示磁通密度B的xyz三维直角坐标系中的x轴方向、y轴方向及z轴方向的分量。另外,在图4(A)~图4(E)中,例示了如下情况,即所施加的磁通的矢量中,磁通密度Bx及磁通密度By相对于施加在z轴的磁通密度,磁通密度相对变低,z轴进行检测动作。另外,在图4(D)及图4(E)中,“T”是每一个轴的信号处理时间。进而,图4(A)~图4(E)所示的横轴(时间轴)的时刻t0是图4(C)所示的磁通密度Bz超过z轴动作点Bopz的时刻,时刻t1表示示出z轴的输出状态的信号(从高到低或从低到高)转变的时刻。
对于图4(A)~图4(E)所例示的磁传感器电路中的磁场检测,在检测轴的磁通密度超过z轴动作点Bopz的情况下,在信号Sg的波形中出现的脉冲例如连续四次等多次被检测到的情况下,判断为在适当的检测轴检测到磁场。外部的磁通密度的变化与磁传感器电路的内部的信号处理动作不同步,输出逻辑信号从外部的磁通密度变化开始推迟延迟时间的量而变化。因此,如图4(D)所示,在依次重复x轴、y轴及z轴的选择,磁场的检测上需要连续四次的一致判断的情况下,从最初磁通密度Bz超过z轴动作点Bopz开始到输出逻辑信号变化为止所需的最大时间(以下为“最大输出延迟时间”)、即从时刻t0到时刻t1为止的时间为12T。检测轴的根数越增大,则该最大输出延迟时间越显著增大。
与此相对,如果减少磁场的检测所需要的一致判断的次数,则能够抑制最大输出延迟时间的增大,但是减少一致判断的次数会使抑制噪声的效果降低。
本发明是考虑到上述情形而完成的,其目的在于提供即使磁场的检测轴为多根(多轴),也不使抑制噪声的效果降低,而将延迟时间的增大抑制得较小的磁传感器电路。
【解决课题的手段】
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