[发明专利]一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的腔体结构的制造工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得所述支撑层至少覆盖在所述牺牲材料层的外围的部分上表面，并且所述支撑层具有开口区域以使得所述牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外；

S2，利用牺牲材料填平所述支撑层的所述开口区域；

S3，在所述支撑层和所述牺牲材料上制作底电极层，所述底电极层架设在所述支撑层上；

S4，在所述底电极层上制作压电层和顶电极层；以及

S5，去除全部所述牺牲材料形成所述腔体结构；其中，所述支撑层包括悬置在所述腔体结构的空腔上的延伸部分，所述底电极层架设在所述空腔的延伸部分上，所述底电极层在所述衬底上的投影区域落到所述腔体结构的空腔的区域范围内。

2.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述S1包括以下子步骤：

S11，在衬底上制作空腔，并且用牺牲材料填充所述空腔以形成所述牺牲材料层；

S12，在所述衬底和所述牺牲材料层上制作所述支撑层，并且对所述支撑层进行部分去除以形成所述开口区域。

3.根据权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，所述S11中通过抛光步骤使所述牺牲材料层的表面与所述衬底的表面平齐。

4.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述S1包括以下子步骤：

S11’，在具有平坦表面的衬底上制作所述牺牲材料层以覆盖所述衬底的部分表面；

S12’，在所述衬底上制作所述支撑层以覆盖所述衬底和所述牺牲材料层；

S13’，通过光刻、蚀刻工艺形成所述支撑层的所述开口区域。

5.根据权利要求4所述的制造工艺，其特征在于，所述子步骤S12’还包括通过抛光步骤将所述支撑层磨平的步骤。

6.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述S2还包括通过抛光使所述开口区域内的牺牲材料的表面与所述支撑层的表面平齐的步骤。

7.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述S5包括，在所述压电层和所述支撑层上制作释放孔，所述释放孔延伸到所述牺牲材料层。

8.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述顶电极层在所述衬底上的投影区域落在所述底电极层在所述衬底上的投影区域范围内。

9.根据权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，所述顶电极层和所述底电极层在所述衬底上的投影区域至少有一条边重合。

10.根据权利要求8或9所述的制造工艺，其特征在于，所述顶电极层在所述衬底上的投影区域超出所述开口区域的范围。

11.根据权利要求1-9中任一项所述的制造工艺，其特征在于，所述支撑层采用以下材料：Si、SiC、SiN或AlN。

12.根据权利要求1-9中任一项所述的制造工艺，其特征在于，所述牺牲材料层采用以下材料：PSG、SiO₂或PI。

13.一种利用权利要求1-12中任一项所述的制造工艺制成的薄膜体声波谐振器。

14.一种薄膜体声波谐振器的腔体结构，包括依次层叠的衬底、支撑层和底电极层，其特征在于，所述衬底、所述支撑层和所述底电极层包围有空腔，所述支撑层具有悬置在所述空腔上的延伸部分，所述底电极层架设在所述支撑层的所述延伸部分上，所述底电极层在所述衬底上的投影区域完全位于所述空腔的范围内。

15.根据权利要求14所述的薄膜体声波谐振器的腔体结构，其特征在于，所述空腔的侧壁由所述衬底形成。