[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审
| 申请号： | 202010094897.4 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111575796A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 森勇介;今西正幸;吉村政志;村上航介;小松真介;多田昌浩;冈山芳央 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人大阪大学;松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 结晶 制造 方法 | ||
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：
晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及
结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使所述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使所述III族元素与所述氮在所述熔液中发生反应而使所述III族氮化物结晶生长，
所述结晶生长工序包括：
成核工序，由所述多个晶种形成晶核；
棱锥生长工序，使多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶由所述多个晶核生长；以及
横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋所述多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述成核工序在874℃以下进行。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述成核工序中，使所述多个晶种在所述熔液中浸渍5分钟以上且10小时以内。
4.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述棱锥生长工序中，将结晶生长温度设为877℃以上。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述横向生长工序中，通过反复进行所述基板在所述熔液中的浸渍和从所述熔液中的提拉，从而在所述棱锥形状的第一III族氮化物结晶的倾斜面上形成多个III族氮化物结晶层。
6.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述横向生长工序中，将结晶生长温度设为877℃以上。
7.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述棱锥生长工序在与所述横向生长工序的结晶生长温度相同的温度下进行。
8.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述结晶生长工序中，在所述横向生长工序之后，还包括使表面平坦的第三III族氮化物结晶生长的平坦厚膜生长工序。
9.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述结晶生长工序后，包括将所述III族氮化物结晶与所述基板进行分离的工序。
10.根据权利要求2所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，所述棱锥生长工序中，将结晶生长温度设为877℃以上。
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