[发明专利]图形缺陷检测方法及检测系统在审
申请号: | 202010095385.X | 申请日: | 2020-02-17 |
公开(公告)号: | CN111257327A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 赵韦韦 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G01N21/88 | 分类号: | G01N21/88;G01N21/95 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图形 缺陷 检测 方法 系统 | ||
1.一种图形缺陷检测方法,其用于集成电路版图图形缺陷检测,其特征在于,包括以下步骤:
S1,获取每个产品的每层光罩的设计图形数据;
S2,在缺陷扫描时,将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比;
S3,若某晶粒出现预设图形缺陷,则以该晶粒为中心按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像;
S4,将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
2.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法,其特征在于:所述设计图形数据是gds文件或tdb文件。
3.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法,其特征在于:所述预设图形缺陷是图形偏移和或图形缩小。
4.如权利要求1所述的图形缺陷检测方法,其特征在于:所述预设规则包括
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10%时,以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取十次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取十次图像。
5.如权利要求4所述的图形缺陷检测方法,其特征在于:所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
6.一种图形缺陷检测系统,其用于电子束扫描机台端集成电路版图图形缺陷检测,其特征在于,包括:
导入模块,其适用于获取每个产品的每层光罩的设计图形数据导入电子束扫描机台端;
对比模块,其适用于将扫描图像图形数据与设计图形数据实时对比;
拍摄模块,其适用于以出现预设图形缺陷晶粒为中心,按预设规则拍摄与该晶粒相邻的多个晶粒目标图形图像,将所述多个晶粒目标图形作为图形异常点图像。
7.如权利要求6所述的图形缺陷检测系统,其特征在于:导入模块导入的设计图形数据是gds文件或tdb文件。
8.如权利要求6所述的图形缺陷检测系统,其特征在于:所述预设图形缺陷是图形偏移和或图形缩小。
9.如权利要求6所述的图形缺陷检测系统,其特征在于,所述预设规则包括:
当目标晶粒图形与标准晶粒图形尺寸相差大于10%时,以目标晶粒为中心上下左右每隔10个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差为5-10%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔8个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差2-5%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔5个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取五次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差1-2%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔3个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取十次图像;
当目标晶粒图形与标准晶粒尺寸相差小于1%时,以目标晶粒为中心,上下左右每隔1个晶粒抓取目标图形的图像,连续抓取十次图像。
10.如权利要求9所述的图形缺陷检测系统,其特征在于:所述标准晶粒为图形坐标为[0,0]的晶粒。
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