[发明专利]一种石墨烯声表面波滤波器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种石墨烯声表面波滤波器结构，其特征在于，所述结构包括压电基片和位于所述压电基片上的金属电极层，所述金属电极层的上表面覆盖有第二石墨烯介质层、下表面覆盖有第一石墨烯介质层，所述第一石墨烯介质层位于所述压电基片和所述金属电极层之间；当高频信号在所述金属电极层的表面传输时，电流集中在表层的所述第一石墨烯介质层和所述第二石墨烯介质层，用于降低金属电极层带来的热损耗，同时提高表面波滤波器的散热能力。

2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属电极层的电极材料为铝，则所述金属电极层的所有侧壁处无石墨烯覆盖。

3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述金属电极层的电极材料为铜，则所述金属电极层的所有侧壁处还覆盖有第三石墨烯介质层。

4.一种石墨烯声表面波滤波器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1、获取压电基片并清洗表面；

S2、在所述压电基片上制备第一层石墨烯薄膜；

S3、在所述第一层石墨烯薄膜上制备金属电极层，并刻蚀所述第一层石墨烯薄膜形成覆盖在所述金属电极层下表面的第一石墨烯介质层，所述第一石墨烯介质层位于所述压电基片和所述金属电极层之间；

S4、在所述金属电极层上制备第二石墨烯介质层；

当高频信号在所述金属电极层的表面传输时，电流集中在表层的所述第一石墨烯介质层和所述第二石墨烯介质层，用于降低金属电极层带来的热损耗，同时提高表面波滤波器的散热能力。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述压电基片上制备第一层石墨烯薄膜，包括：

在铜箔或镍箔上通过化学气相沉积法制备得到所述第一层石墨烯薄膜后，将所述第一层石墨烯薄膜转移到所述压电基片上，所述第一层石墨烯薄膜通过范德华力与所述压电基片结合。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层石墨烯薄膜上制备金属电极层，包括：

在所述第一层石墨烯薄膜上沉积金属膜层，在所述金属膜层上旋涂光刻胶，曝光、显影后，以所述光刻胶为掩膜，对所述金属膜层进行刻蚀得到所述金属电极层；

或者，在所述第一层石墨烯薄膜上旋涂光刻胶，曝光、显影后，根据所述金属电极层的电极结构刻蚀所述光刻胶形成刻蚀间隙， 在所述光刻胶的刻蚀间隙中沉积金属膜层后剥离所述光刻胶，得到所述金属电极层。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述金属电极层上制备第二石墨烯介质层，包括：

当所述金属电极层的电极材料为铜时， 通过化学气相沉积法直接在所述金属电极层上制备第二层石墨烯薄膜，所述第二层石墨烯薄膜覆盖所述金属电极层的上表面、所述金属电极层的所有侧壁以及所述压电基片的外露区域，对所述第二层石墨烯薄膜进行图形化处理得到覆盖在所述金属电极层的上表面的第二石墨烯介质层、以及覆盖在所述金属电极层的所有侧壁的第三石墨烯介质层。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述金属电极层上制备第二石墨烯介质层，包括：

当所述金属电极层的电极材料为铝时，在铜箔或镍箔上通过化学气相沉积法制备得到第二层石墨烯薄膜后，将所述第二层石墨烯薄膜转移到所述金属电极层上，通过刻蚀所述第二层石墨烯薄膜得到覆盖在所述金属电极层的上表面的第二石墨烯介质层。