[发明专利]基片处理装置及基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

能够保持基片的基片保持部；

向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；

药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；

纯净水供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的纯净水；

低介电常数溶剂供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的低介电常数溶剂；和

控制部，其控制所述药液供给部、所述纯净水供给部、所述低介电常数溶剂供给部，来调节所述处理液中所包含的所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂的比率。

2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，

所述处理液供给部具有：

混合部，其将所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂混合而生成所述处理液；和

喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述处理液。

3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于，

所述混合部包含：

第一混合部，其将从所述药液供给部供给的所述药液与从所述纯净水供给部供给的所述纯净水混合而生成纯净水稀释药液；和

第二混合部，其将所述第一混合部中生成的所述纯净水稀释药液与从所述低介电常数溶剂供给部供给的所述低介电常数溶剂混合而生成所述处理液，

所述喷嘴排出所述第二混合部中生成的所述处理液。

4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，

所述处理液供给部具有：

混合部，其将所述药液与所述纯净水混合而生成纯净水稀释药液；

第一喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述纯净水稀释药液；和

第二喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出从所述低介电常数溶剂供给部供给的所述低介电常数溶剂，

所述处理液通过使所述纯净水稀释药液与所述低介电常数溶剂在所述基片上混合而生成。

5.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

向基片供给由药液、纯净水和低介电常数溶剂混合而成的处理液，来对形成于所述基片上的膜进行蚀刻的蚀刻步骤；和

在所述蚀刻步骤后，向所述基片供给冲洗液的冲洗步骤。

6.根据权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述蚀刻步骤中，将所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂混合之后作为所述处理液，从喷嘴向所述基片排出。

7.根据权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述蚀刻步骤中，将由所述药液和所述纯净水混合而生成的纯净水稀释药液和所述低介电常数溶剂经由不同的喷嘴向所述基片排出，使所述纯净水稀释药液和所述低介电常数溶剂在所述基片上混合而生成所述处理液。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

通过调节所述处理液中的低介电常数溶剂的含量，来调节所述膜的蚀刻速率或所述膜相对于其它膜的蚀刻选择比。