[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：

在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及漏极电极；

在所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电极之间形成具有包括Ni层及所述Ni层上的Au层的层叠构造的栅极电极，在与所述源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与所述栅极电极相同的层叠构造的第一金属膜；

形成与所述源极电极和所述第一金属膜接触的第二金属膜；

形成从所述SiC基板的背面到达所述第一金属膜的孔；及

在所述孔内形成从所述背面到达所述第一金属膜的金属通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，在通过使用了氟系气体的反应性离子蚀刻对所述SiC基板进行了蚀刻之后，通过使用了氯系气体的反应性离子蚀刻对所述氮化物半导体层进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，朝向所述SiC基板间歇地照射来源于所述氟系气体的氟离子。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，其中，

在形成所述孔的工序中，朝向所述氮化物半导体层间歇地照射来源于所述氯系气体的氯离子。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述源极电极具有开口，在所述开口内形成所述第一金属膜。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述源极电极的平面形状为U字状，在该U字状的内侧形成所述第一金属膜。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述层叠构造在所述Ni层与所述Au层之间包含Pd层。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

形成所述源极电极及所述漏极电极的工序包括在500℃～600℃的范围内的温度下对主要包含Al的多层金属进行合金化的工序。

9.一种半导体装置，具备：

SiC基板；

氮化物半导体层，设于所述SiC基板的主面上；

源极电极及漏极电极，设于所述氮化物半导体层上；

栅极电极，设于所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电极之间，具有包括Ni层及所述Ni层上的Au层的层叠构造；

第一金属膜，设于在所述氮化物半导体层上与所述源极电极隔开间隔地相邻的区域，具有与所述栅极电极相同的层叠构造；

第二金属膜，与所述源极电极和所述第一金属膜接触；及

金属通孔，设于所述SiC基板的孔内，从所述SiC基板的背面到达所述第一金属膜。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述源极电极及所述漏极电极主要包含Al。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其中，

所述源极电极具有开口，所述第一金属膜设于所述开口内。

12.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其中，

所述源极电极的平面形状为U字状，所述第一金属膜设于该U字状的内侧。

13.根据权利要求9～12中任一项所述的半导体装置，其中，

所述源极电极具有至少30μm的宽度。