[发明专利]一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器有效

专利信息
申请号: 202010095795.4 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111294003B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 康凯;刘沛然;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 可变 增益 相移 放大器
【权利要求书】:

1.一种新型宽可变增益低相移可变增益放大器,由依次连接的输入级、第一级放大电路、第二级放大电路与输出级构成;其特征在于,

所述第一级放大电路包括:晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4;其中,晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4的源极均接地;晶体管M1与晶体管M2的栅极、晶体管M3与晶体管M4的栅极分别以电容形式耦合,依次作为第一级放大电路的正输入端、负输入端;晶体管M1与晶体管M3的漏极、晶体管M2与晶体管M4的漏极分别相连,依次作为第一级放大电路的正输出端、负输出端;晶体管M1与晶体管M2的栅极连接控制电压VA,晶体管M3与晶体管M4的栅极连接控制电压VB

第二级放大电路包括:晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8、电感L1、电感L2、电容C1、电容C2;其中,晶体管M5、晶体管M6、晶体管M7、晶体管M8的源极均接地;晶体管M5与晶体管M6的栅极、晶体管M7与晶体管M8的栅极分别以电容形式耦合,依次作为第二级放大电路的正输入端、负输入端;晶体管M5与晶体管M7的漏极、晶体管M6与晶体管M8的漏极分别相连,依次作为第二级放大电路的正输出端、负输出端;电感L1一端连接第二级放大电路的正输入端、另一端连接到晶体管M5与晶体管M6的漏极,电感L2一端连接第二级放大电路的负输入端、另一端连接到晶体管M7与晶体管M8的漏极;电容C1连接到晶体管M5与晶体管M6的漏极,电容C2连接到晶体管M7与晶体管M8的漏极,分别形成交流地;晶体管M5、晶体管M8的栅极连接控制电压VD,晶体管M6、晶体管M7的栅极连接控制电压VC

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