[发明专利]填充衬底表面内形成的凹陷部的方法和设备

权利要求书

1.一种填充形成在衬底表面内的凹陷部的方法，所述方法包括以下步骤：

在反应室中提供所述衬底；

以第一剂量将第一反应物引入所述衬底的所述凹陷部的所述表面上；

以第二剂量将第二反应物引入所述衬底的所述凹陷部的所述表面上，

其中所述第一剂量和所述第二剂量在重叠区域中重叠，并留下所述第一区域和所述第二区域不重叠的区域；

以第三剂量将第三反应物引入所述衬底，所述第三反应物在所述第一剂量和所述第二剂量不重叠的所述区域中与所述第一反应物或所述第二反应物反应，从而沉积材料；以及

将所沉积的材料蚀刻在所述凹陷部中。

2.如权利要求1所述的方法，还包括吹扫任何未反应的第一反应物的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其中在蚀刻材料的步骤之前，重复引入第一反应物，引入第二反应物和引入第三反应物的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中以饱和剂量引入所述第一反应物和所述第二反应物中的一者，并且以亚饱和剂量引入所述第一反应物和所述第二反应物中的另一者。

5.如权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻材料的步骤期间，相对于所述第一区域和所述第二区域不重叠的所述区域，所述重叠区域中的所述材料的蚀刻速率更高。

6.如权利要求1所述的方法，其中重复引入第一反应物，引入第二反应物，引入第三反应物和蚀刻材料的步骤。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物包含氮。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一反应物选自He、Ne、Ar、Kr、Xe、N₂、NH₃和N₂H₄。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物包含硅。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第二反应物选自硅烷胺、硅氧烷胺和硅氮烷胺。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第三反应物包含氧。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第三反应物选自水、过氧化氢、分子氧和臭氧。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述第三剂量是饱和剂量。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述第一反应物被等离子体活化。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述第三反应物被等离子体活化。

16.如权利要求1所述的方法，其中使用包含C_xF_y、CHF₃、NF₃、SF₆、Cl₂、BCl₃、HBr和HI中的一种或多种的蚀刻剂来执行蚀刻材料的步骤。

17.一种半导体结构，所述半导体结构根据权利要求1所述的方法形成。