[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，该形成半导体装置的方法包含：

形成多个光感区域于基材的前侧上；

图案化于所述基材的后侧上的第一层，以形成定义多个第一区域和多个第二区域的多个网格线；

形成第二层于所述后侧的多个暴露部分、所述网格线、所述第一区域和所述第二区域上；

形成第三层于所述第二层上；以及

图案化所述第三层，而由所述第一区域上除去所述第三层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述图案化所述第三层的操作包含：

形成第四层于所述第三层上；

图案化所述第四层，而由所述第一区域上除去所述第四层；

使用蚀刻剂来蚀刻所述第三层的多个暴露区域；以及

由所述后侧除去所述第四层的多个余留部分。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述图案化所述第四层的操作包含由每一所述网格线的至少一部分上除去所述第四层。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中所述蚀刻所述第三层的所述暴露区域的操作包含暴露所述第三层的所述区域于氟气。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中：

所述蚀刻剂为第一蚀刻剂；以及

所述方法更包含，于所述图案化所述第三层的操作后，藉由使用第二蚀刻剂来蚀刻所述第二层的所述暴露区域，由所述第一区域除去所述第二层，所述第二蚀刻剂不同于所述第一蚀刻剂，所述第二蚀刻剂对所述第二层具选择性。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：

所述第二层是薄于所述第三层；以及

相较于所述第三层，所述第二层是更可透光的。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中

每一所述第一区域是被塑型为第一多边形；

每一所述第二区域是被塑型为第二多边形，所述第二多边形较所述第一多边形具有更少的多边；

所述第一区域的至少一者是相邻于所述第二区域的至少四者；以及

所述第一区域的所述至少一者是大于所述第二区域的所述至少四者。

8.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，所述形成半导体装置的方法包含：

形成多个感测区域于基材的前侧上；

形成绝缘层于所述基材的后侧上；

图案化于所述绝缘层上的导体网格，所述导体网格定义多个第一区域和多个第二区域，每一所述第一区域至少部份地覆盖于所述基材的所述前侧上相应的所述感测区域；

形成蚀刻停止层于所述绝缘层与所述导体网格上；

形成过滤层于所述蚀刻停止层上；

由所述第一区域上除去所述过滤层；以及

形成多个光学层于所述后侧上。

9.一种装置，其特征在于，所述装置包含：

半导体基材，包含前侧与后侧；

多个感测区域，设置于所述基材的所述前侧上；

第一层，设置于所述基材的所述后侧上，所述第一层是具有实质界于与间的厚度的绝缘层；

多个导体网格线，形成于所述第一层上，所述导体网格线定义多个第一区域和多个第二区域，每一所述第一区域至少部分地覆盖相应感测区域；

第二层，设置于所述第二区域和至少一部分的所述导体网格线上，其中所述第二层是具有实质界于与间的厚度的绝缘层；以及

第三层，设置于所述第二层上，所述第三层是导电的，且所述第三层包含氮化层或金属层的至少一者，其中所述第三层具有实质界于与间的厚度，且所述第三层至少部分地吸收具有实质界于10nm与1000nm间的波长的辐射。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，其中：

所述第二区域的每一者是相邻于所述第一区域的至少二者；

所述第二层亦设置于所述第一区域上；

所述第三层亦设置于所述导体网格线的至少一部分上；以及

设置于所述第一区域的所述第二层的厚度是小于设置于所述第二区域的所述第二层的一厚度。