[发明专利]芯片和电流采样电路

权利要求书

1.一种电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路包括：MOS管MS0、MOS管MP0、栅极驱动电路、源端输入运放电路、MOS管MP3和MOS管MP4；

其中，所述MOS管MS0、MOS管MP0的源端均用于接入输入电流，所述MOS管MS0、MOS管MP0的栅端均与所述栅极驱动电路的一端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述栅极驱动电路的另一端连接，所述MOS管MS0的漏端与所述源端输入运放电路的一输入端连接，所述MOS管MP0的漏端与所述源端输入运放电路的另一输入端连接，所述源端输入运放电路的输出端与所述MOS管MP3的栅端连接，所述源端输入运放电路的输出端与所述MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MP3的源端和MOS管MP4的源端均与所述MOS管MS0的漏端连接；

所述栅极驱动电路用于提供驱动电压以驱动所述MOS管MS0、MOS管MP0工作，所述MOS管MP3中通过的电流用于过流采样，所述MOS管MP4中通过的电流用于过流保护；

所述源端输入运放电路用于根据其输出端的输出电流调节通过所述MOS管MP3的电流和通过所述MOS管MP4的电流，以及将MOS管MS0的漏端以及MOS管MP0的漏端钳位至相同的电压。

2.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述源端输入运放电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN1、MOS管MN2以及第一恒流源和第二恒流源；

所述MOS管MS0的漏端跟所述MOS管MP1的源端连接，所述MOS管MP0的漏端跟所述MOS管MP2的源端连接，所述MOS管MP1的漏端跟所述MOS管MN1的漏端连接，所述MN1的源端通过第一恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端跟所述MOS管MN2的漏端连接，所述MOS管MN2的源端通过第二恒流源接地，所述MOS管MP2的漏端分别与所述MOS管MP3、MOS管MP4的栅端连接，所述MOS管MN1的栅端和所述MOS管MN2的栅端用于接入驱动电压。

3.根据权利要求2所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括电阻R3，所述MOS管MP3、MOS管MP4的源端均通过所述电阻R3与所述MOS管MS0的漏端连接。

4.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括运算放大器和第四恒流源，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述运算放大器的反向输入端与所述第四恒流源连接，所述运算放大器的输出端用于输出放大后的采样电流。

5.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括第三恒流源和过流标志位，所述第三恒流源用于设置翻转电流阈值，所述过流标志位用于在通过MOS管MP4的过流保护电流大于翻转电流阈值时产生过流标志信号。

6.根据权利要求1所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括电阻R4，所述MOS管MP3漏端通过所述电阻R4接地。

7.根据权利要求6所述的电流采样电路，其特征在于，所述电流采样电路还包括钳位电路和MOS管MP5，所述钳位电路与所述MOS管MP5的栅端连接，所述MOS管MP5的源端与所述MOS管MP3的漏端连接，所述MOS管MP5的漏端接地，所述钳位电路用于钳位所述MOS管MP5的栅端电压，所述MOS管MP5用于在导通时形成与所述电阻R4并联的对地通路。

8.根据权利要求7所述的电流采样电路，其特征在于，所述钳位电路包括MOS管MP6和MOS管MN3；所述MOS管MP5的源极与所述MOS管MP3的漏极连接，所述MOS管MP5的漏极接地，所述MOS管MP5的栅极与所述MOS管MP6的源极连接，所述MOS管MP6的漏极接地，所述MOS管MP6的栅极与所述MOS管MN3的源极连接，所述MOS管MN3的栅极用于接入高电平电压，所述MOS管MN3的源极接地。