[发明专利]一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法有效

专利信息
申请号: 202010098549.4 申请日: 2020-02-18
公开(公告)号: CN111474387B 公开(公告)日: 2022-04-15
发明(设计)人: 陈洪旭;李海东;程凤梅;林祥松;陈超 申请(专利权)人: 嘉兴学院
主分类号: G01Q60/24 分类号: G01Q60/24;G01N23/225
代理公司: 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 代理人: 杜亚
地址: 314033 浙江省嘉兴市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 评估 聚合物 修复 极限 方法
【权利要求书】:

1.一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征是:将聚合物基自修复膜循环进行刻蚀—自修复—测量过程,直至测量结果超出规定;记录循环次数N,即记为该聚合物基自修复膜的自修复极限,具体步骤如下:

(1)刻蚀:对聚合物基自修复膜进行刻蚀使得聚合物基自修复膜上表面形成特定裂纹结构;

(2)自修复:将刻蚀后的聚合物基自修复膜静置进行自修复;所述的静置为将聚合物基自修复膜置于温度为20~25℃的自修复环境中进行自修复30min;自修复环境为去离子水、空气或者紫外光;

(3)测量:得出自修复后的聚合物基自修复膜的裂纹形貌和上表面粗糙度值D;

当裂纹形貌目视无明显裂纹且D小于等于阈值K时,该自修复膜重复步骤(1)~(3),并且重复的步骤(1)中所形成的裂纹结构与第一次所述特定裂纹结构相同,即尺寸相同;

所述测量结果超出规定,即当裂纹形貌目视存在明显裂纹或者D大于阈值K,则停止步骤循环,记录到上一次循环的次数,即得到步骤(1)~(3)的循环次数N;

所述特定裂纹结构由多个相同的且具有一定间距的裂纹构成,每个裂纹的尺寸用直径和深度表示;所述的每个裂纹为微纳米锥;所述微纳米锥的底部直径为200nm~5μm、深度为200nm~8μm;

所述的阈值K为100nm。

2.根据权利要求1所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,所述的聚合物基自修复膜为支化聚乙烯基亚胺和聚丙烯酸多层膜、支化聚乙烯基亚铵和聚乳酸多层膜、聚乙烯醇和聚丙烯酸自修复水凝胶电解质膜、聚丙烯酸和2-(二乙氨基)甲基丙烯酸乙酯聚离子复合物水凝胶膜、多巴胺-氧化海藻酸钠和聚丙烯酰胺水凝胶膜、偏二氟乙烯和六氟丙烯的共聚物膜、环糊精的超分子水凝胶膜、含环氧丙烷的壳聚糖膜、硝基多巴胺修饰的壳聚糖膜、接枝聚6-丙烯酰胺基己酸的海藻酸膜或者含丙烯酰胺的海藻酸膜。

3.根据权利要求1所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,所述刻蚀中的聚合物基自修复膜还置于一个基底上,所述基底为硅基底、玻璃基底或者石英基底。

4.根据权利要求1所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,所述的刻蚀采用的刻蚀模板为聚苯乙烯微球,且在刻蚀完成后移除。

5.根据权利要求4所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,聚苯乙烯微球的直径为500nm~5μm。

6.根据权利要求1所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,所述的测量采用的设备是原子力显微镜和扫描电子显微镜。

7.根据权利要求1所述的一种评估聚合物基自修复膜自修复极限的方法,其特征在于,刻蚀采用的是等离子刻蚀技术。

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