[发明专利]按需填充的安瓿再填充

权利要求书

1.一种用于控制衬底处理装置的安瓿的填充的方法，其包括：

(a)启动沉积循环的数量的计数器，在所述沉积循环期间，将前体输送到所述衬底处理装置的反应室，其中所述前体以液体形式被储存在所述安瓿内；

(b)确定安瓿填充开始条件得到满足；

(c)读取在所述安瓿中的指示所述安瓿是足够满的以致所述液体前体不应被提供给所述安瓿的传感器液位；

(d)确定由所述计数器计数的沉积循环的数量超过阈值；以及

(e)响应于确定由所述计数器计数的沉积循环的所述数量超过所述阈值，停止所述沉积循环。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述阈值包括介于约3000个和6000个之间的沉积循环。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述液体前体被输送到所述安瓿时，在(a)中开始启动所述计数器，并且其中所述计数器继续计数，直到所述液体前体被再次输送到所述安瓿。

4.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在操作(e)中，当停止所述沉积循环时启动软关机。

5.根据权利要求1所述的方法，其中产生在所述安瓿中的所述传感器液位的所述传感器发生故障。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述安瓿填充开始条件包括确定所述衬底处理装置处于或将要进入用所述前体填充所述安瓿引起的所述液体前体的搅动会对所述衬底处理装置处理的衬底的一致性具有最小影响的阶段。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述安瓿填充开始条件包括确定沉积操作的序列已在包含于所述衬底处理装置中的衬底上完成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沉积操作的序列是与原子层沉积相关联的沉积操作。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述安瓿填充开始条件包括确定当前正在执行用于沉积操作的准备工作。

10.根据权利要求1所述的方法，其中(e)进一步包括响应于确定由所述计数器计数的沉积循环的数量超过阈值以及响应于确定所述安瓿中的传感器液位表明所述安瓿充满，停止所述沉积循环。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述安瓿填充开始条件包括确定所述衬底处理装置处于或将要进入以下阶段：在一个或多个衬底已经装载到所述衬底处理装置的衬底处理室中之后，在所述一个或多个衬底中任意一个从所述衬底处理室卸载之前并且在所述衬底处理室中没有进行沉积。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述安瓿填充条件包括与填充所述安瓿同时执行的一个其它的衬底处理操作，该一个其它的衬底处理操作选自由晶片换位操作、所述前体和/或所述衬底的温度浸泡、抽排至基压的操作组成的组。

13.根据权利要求12所述的方法，其中与填充所述安瓿同时执行的所述至少一个其它的衬底处理操作包括晶片换位操作。

14.根据权利要求12所述的方法，其中与填充所述安瓿同时执行的所述至少一个其它的衬底处理操作包括所述前体和/或所述衬底的温度浸泡。

15.根据权利要求12所述的方法，其中与填充所述安瓿同时执行的所述至少一个其它的衬底处理操作包括抽排至基压的操作。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述安瓿填充开始条件包括确定所述前体体积在阈值体积以下。

17.根据权利要求1所述的前体再填充系统，其中所述安瓿填充开始条件包括确定所述衬底处理装置处于或将要进行衬底处理操作，所述衬底处理操作包括晶片换位操作、温度浸泡操作或抽排至基压的操作。