[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：

将包含氧化硅膜的基片置于载置台上的步骤；

将所述基片的表面温度控制为﹣70℃以下的温度的步骤；

在所述进行控制的步骤后，供给等离子体生成用的高频电功率从含氟和氢的气体生成等离子体来蚀刻所述氧化硅膜的步骤；和

使所述基片的表面温度上升，使通过所述蚀刻生成的副生成物挥发的步骤。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

还包括在使所述副生成物挥发的步骤中，通过所述基片的背面与所述载置台之间的空间的压力、和供给到所述载置台的偏置高频电功率，来控制所述基片的表面温度的步骤。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述基片还包括所述氧化硅膜以外的含硅膜。

4.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述基片包括所述氧化硅膜和多晶膜的层叠膜、或者所述氧化硅膜和氮化硅膜的层叠膜。

5.如权利要求3或4所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述含硅膜上形成有含金属掩模。

6.如权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含金属掩模由含有钨、钛、钼、钌、铪或铝的材料形成。

7.如权利要求1～6中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

形成在所述基片的凹部的高宽比为5以上。

8.如权利要求1～7中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述进行蚀刻的步骤中，使供给到所述载置台的偏置高频电功率的占空比变化。

9.如权利要求1～8中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述进行蚀刻的步骤中，使所述等离子体生成用的高频电功率的占空比变化。

10.如权利要求1～9中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述进行蚀刻的步骤中，将脉冲状的直流电压施加到载置台。