[发明专利]一种提取微波介质基板宽带连续介电特性的表征方法有效
申请号: | 202010099357.5 | 申请日: | 2020-02-18 |
公开(公告)号: | CN111308221B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 蔡龙珠;洪伟;蒋之浩;黄岩 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26;G06F17/11 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 211102 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提取 微波 介质 宽带 连续 特性 表征 方法 | ||
1.一种提取微波介质基板宽带连续介电特性的表征方法,其特征在于:所述方法基于两条不同长度的直线波导结构,然后通过作差比较两条直线波导结构的传输散射参数的相位和幅度,分别推导和计算出介质基板的介电常数和介质损耗正切值;
所述方法包括如下步骤:
(1)基于长度不同的直线波导结构分别组建测试装置,所述的测试装置中直线波导结构的两端设有高频微波连接器,通过一组高频微波连接器固定安装待测材料的两端,所述待测材料表面附有金属铜;
(2)根据测试装置的设计参数,利用矢量网络分析仪对两直线分别进行测试,得到两者的传输散射参数S12的幅值和相位;
(3)对测试所得的长线和短线波导的散射参数相位做差,得到的值并计算有效介电常数εeff和介质基板的介电常数εr;
(4)对测试所得的长线和短线的散射参数幅值做差,计算结构总的损耗αt,导体损耗αc,辐射损耗αr,介质损耗αd和满足准TEM波假设条件下的介质基板介质损耗正切tanδ,具体如下:
所述导体损耗αc的计算表达式为如下:
其中,特征阻抗中心信号导体的分布串联电阻地平面的分布串联电阻T是金属导体的厚度,集肤效应电阻δ、σ、μ分别是集肤深度、金属导体电导率、自由空间的磁导率,且K是第一类完全椭圆积分,k′0和k′1是与模k0和k1相关联的互补模,
S和W分别是不接地共面波导的信号线线宽和缝隙宽度,H是介质基板厚度;
所述辐射损耗αr的计算表达式如下:
其中,辐射因子介质波长所述方法包括建立提取介质基板介电常数εr的理想模型用于消除微波连接器在固定安装过程中造成的误差影响,具体步骤如下:
(s1)先建立结构有效介电常数εeff与传输相位的关系式,在理想状态下,对于长度为L的直线,表达式如下:
其中,c和f分别是真空下的光速以及工作频率;
(s2)建立在有微波连接器及固定安装误差影响下的有效长度、有效传输相位的关系式,对于两条长度分别为LLong和LShort的直线,假设其对应的传输相位分别为和当用X表示长度L或传输相位时,长度和相位关系表示如下:
2Xerror+XLong_M=XLong,2Xerror+XShort_M=XShort,得到XLong_M-XShort_M=XLong-XShort,则长线和短线的相位差表示如下:
其中,Xerror表示连接器和固定安装引起的长度误差Lerror和相位误差XLong_MandXShort_M分别表示长线和短线去除连接器及固定安装影响后的中间有效值,中间有效值为长度LLong_M,LShort_M和相位
(s3)建立减少微波连接器及固定安装影响下的有效介电常数表达式,表达式具体如下:
(s4)建立介质基板介电常数εr与所得有效介电常数εeff的关系式,表达式如下:
其中,q是所选结构的填充因子;
所述介质损耗αd的计算表达式如下:
αd=αt-αc-αr
所述介质基板介质损耗正切tanδ的计算表达式如下:
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