[发明专利]MiniLED背光结构及显示装置在审
| 申请号： | 202010099435.1 | 申请日： | 2020-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN111326537A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张鑫;冼志科;李吉 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/46 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 李新干 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | miniled 背光 结构 显示装置 | ||
1.一种MiniLED背光结构，其特征在于，包括：
一阵列基板；
一分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层设置在所述阵列基板上，所述分布式布拉格反射镜层包括多个第一反射膜层以及多个第二反射膜层交替叠设形成，所述第一反射膜层的折射率大于所述第二反射膜层的折射率；所述分布式布拉格反射镜层开设有多个贯穿至所述阵列基板的安装孔；
多个LED发光单元，所述多个LED发光单元设置于所述阵列基板上并位于所述安装孔中。
2.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的折射率的范围为1.7-2.2。
3.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的折射率的范围为1.35-1.55。
4.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的材料为SiNx或Al2O3。
5.根据权利要求4所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层的折射率为1.96。
6.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的材料为SiO2或MgF2。
7.根据权利要求6所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第二反射膜层的折射率为1.47。
8.根据权利要求1所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数相等且均大于9，且与所述阵列基板最近的一层为第一反射膜层。
9.根据权利要求8所述的MiniLED背光结构，其特征在于，所述第一反射膜层以及所述第二反射膜层的层数均为16，每4层第一反射膜层以及第二反射膜层分别设置红、绿、蓝中心波长干涉增强的膜厚，实现反射白光。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的MiniLED背光结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
