[发明专利]栅极电压控制

权利要求书

1.一种设备，其特征在于，包括：

场效应晶体管(FET)，所述FET具有浮栅并具有目标工作电压，当高于所述目标工作电压时，所述FET将被过度充电，并且当大约为所述目标工作电压时，所述FET具有标称工作范围；

脉冲电路系统，所述脉冲电路系统用于以脉冲形式向所述浮栅施加电能，以在导通状态与关断状态之间周期性地切换所述FET，在操作中，相对于所述栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低，并且然后通过调整连续脉冲改变所述所施加的能量，直到所述栅极达到所述目标工作电压为止；以及

反馈电路，所述反馈电路用于对所述浮栅的电压水平进行采样并使所述脉冲电路系统能够向所述浮栅施加脉冲能量，以通过所述浮栅控制所述FET，以便基于所述标称工作范围内的所述目标工作电压指导所述FET的操作。

2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的持续时间调整所施加的能量脉冲的持续时间来调整所述连续脉冲。

3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的电流水平调整所施加的能量脉冲的电流水平来调整所述连续脉冲。

4.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过相对于先前能量脉冲的所述持续时间和所述电流水平调整所施加的能量脉冲的持续时间和电流水平来调整所述连续脉冲。

5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于：

所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成在重复的基础上向所述浮栅施加多个能量脉冲；

所述反馈电路被配置和布置成在所述多个能量脉冲中的每个能量脉冲被施加之后对所述浮栅的电压水平进行采样；并且

所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成在施加先前能量脉冲之后，基于所述浮栅的采样电压水平相对于所述先前能量脉冲调整所述多个能量脉冲中的每个连续能量脉冲。

6.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统与所述反馈电路一起被配置和布置成通过以下减轻所述浮栅的过度充电：

在向所述浮栅施加初始能量脉冲之后，施加迭代能量脉冲，每个迭代能量脉冲的能量水平高于所述先前能量脉冲的能量水平，直到所述浮栅达到所述目标工作电压为止；以及

响应于在施加先前能量脉冲之后所述浮栅的所述采样电压水平超过所述目标工作电压，施加能量水平低于所述先前脉冲的所述能量水平的后续能量脉冲。

7.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述脉冲电路系统包括向所述浮栅施加所述脉冲的栅极驱动器，所述脉冲电路系统被配置和布置成在以脉冲形式向所述浮栅施加能量之后，通过将所述栅极驱动器的驱动阻抗设置为高阻抗来维持所述浮栅的电压。

8.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述反馈电路被配置和布置成在所述浮栅的导通转变结束时以及在所述浮栅的栅极-源极电压稳定之后，对所述电压水平进行采样。

9.一种设备，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管的栅极具有目标工作电压；

反馈电路，所述反馈电路被配置和布置成对所述栅极的电压水平进行采样；以及

栅极驱动器电路，所述栅极驱动器电路与所述反馈电路一起被配置和布置成通过以下将所述栅极充电到所述目标工作电压：

向所述栅极施加能量脉冲，所述能量脉冲将所述栅极充电到小于所述栅极的所述目标工作电压的电压水平，以及

响应于所述栅极的由所述反馈电路采样的电压水平，向所述晶体管栅极施加经过调整的能量脉冲，所述经过调整的能量脉冲的值基于所述采样电压水平和所述栅极的所述目标工作电压。

10.一种方法，其特征在于，包括：

通过相对于栅极的目标工作电压将所施加的能量脉冲处理为低，以脉冲形式向具有目标工作电压的场效应晶体管(FET)施加能量，当高于所述目标工作电压时，所述FET将被过度充电，并且当大约为所述目标工作电压时，所述FET具有标称工作范围；

对浮栅的电压水平进行采样；以及

在所述脉冲中的连续脉冲中调整施加到所述浮栅的能量，直到所述栅达到所述目标工作电压为止。