[发明专利]场发射光源

权利要求书

1.一种配置为发射紫外光的场发射光源模，包括：

-场发射阴极(106)，所述场发射阴极包括多个ZnO纳米棒(104)，所述纳米棒形成在基板(102)上，所述基板(102)适于模块化制造工艺；

-阳极结构(108)，包括：

-透明结构(114)

-第一波长转换材料(118)，所述第一波长转换材料布置用于覆盖透明结构(114)的至少一部分，其中，第一波长转换材料(118)布置为直接和透明结构(114)毗邻，第一波长转换材料(118)被配置为接受从场发射阴极(106)发射的电子并发射第一波长范围的光，以及

-导电阳极层(116)，所述导电阳极层由铝光反射层沉积到第一波长转换材料(118)上构成，其中，在使用时，导电阳极层(116)被布置为具有与场发射阴极(106)不同的电压电位，借此，从场发射阴极(106)发射的电子在被第一波长转换材料(118)接受前将经过导电阳极层(116)，以及

-间隔结构(110)，所述间隔结构被布置为

-围绕复所述多个纳米棒，

-在阳极结构(108)和场发射阴极(106)之间设定预定的距离，

-在阳极结构和场发射阴极之间形成密封真空腔。

2.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，所述场发射阴极(106)还包括金属层，所述金属层被布置在基板(102)上，所述多个ZnO纳米棒(104)形成在所述金属层上。

3.根据权利要求2所述的场发射光源模，其特征在于，所述多个ZnO纳米棒(104)生长在所述金属层上。

4.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，在使用时，所述导电阳极层(116)被布置为与所述场发射阴极(106)的电压点位差0.1–10kV。

5.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，场发射阴极的基板和阳极结构中的至少一个的光输出耦合侧包括光提取纳米棒。

6.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，基板是金属合金晶片。

7.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，所述多个纳米棒的长度至少1μm。

8.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，所述间隔结构配置为在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成介于100μm和5000μm之间的距离。

9.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，所述基板是从金属材料制作的晶片。

10.根据权利要求1所述的场发射光源模，其特征在于，还包括与ZnO纳米棒相邻布置的吸气剂(412) 。

11.一种照明装置，其特征在于包括：

-根据之前任一权利要求所述的场发射光源模，

-电源，所述电源用于向场发射光源模提供电能以允许从所述多个纳米棒向阳极结构发射电子，以及

-控制单元，所述控制单元用于控制照明装置的工作。

12.形成场发射光源的方法，其特征在于所述场发射光源包括场发射阴极(106)和阳极结构(108)，所述方法包括步骤：

-在包括在场发射阴极的基板(102)上提供多个ZnO纳米棒(104)，

-在阳极结构提供透明结构(114)

-提供第一波长转换材料(118)，所述第一波长转换材料布置用于覆盖透明结构(114)的至少一部分，其中，第一波长转换材料(118)布置为直接和透明结构(114)毗邻，

-在第一波长转换材料上沉积光反射金属构成的导电阳极层(116)，以及

-所述多个ZnO纳米棒周围围绕间隔结构(110)以在阳极结构和场发射阴极之间设定预定的距离以及在阳极结构和场发射阴极之间形成密封真空腔。