[发明专利]一种碳化硅器件原料的制造方法及使用该原料制备的碳化硅器件

权利要求书

1.一种碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，包括：

S1、对n型SiC层行清洗；

S2、在所述SiC层上沉积一层Ni层；

S3、在所述Ni层上沉积一层NiO层；

S4、对步骤S3制得的产品进行热处理，将所述Ni层转化为Ni₂Si层；

S5、通过湿法刻蚀去除所述NiO层；

S6、在所述Ni₂Si层上沉积一层NiAl层；

S7、在所述NiAl层上沉积一层Al层，至此，完成碳化硅器件原料的制备。

2.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，所述Ni层和所述NiO层均通过溅射的方法实现，其中，溅射过程的具体参数为：300W的直流功率及0.4pa压强；步骤S2中溅射时只使用氩气，而步骤S3中溅射气体用的是含20％氧气的氩气。

3.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，所述Ni层的厚度为0.05-0.15um；所述NiO层的厚度为0.05-0.15um。

4.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，步骤S4中热处理的参数为：1000℃、真空或氩气保护环境下、5*10^-4pa以下进行2分钟，然后冷却到室温。

5.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，步骤S5中湿法刻蚀的方法为：50℃的HCl溶液中，浸泡6分钟；然后，纯水清洗，最后甩干；所述HCl溶液的浓度为10-37％。

6.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，所述NiAl层和所述Al层均通过溅射实现，溅射的具体参数为：300W的直流功率、0.4pa压强、150℃的衬底温度，并且整个溅射过程只使用氩气。

7.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，步骤S6中使用的靶材为NiAl，其中Ni的含量为40-60％。

8.根据权利要求1所述的碳化硅器件原料的制造方法，其特征在于，所述NiAl层的厚度为5-20nm；所述Al层的厚度为2-4um。

9.一种使用权利要求1-8任一制造方法制备的碳化硅器件原料制备的碳化硅器件，其特征在于，所述碳化硅器件包括衬底和漂移层；所述漂移层的上部形成2个隔开的区域；在漂移层中，分开的2个区域和中间夹杂的漂移层形成JFET区；在漂移层的上部隔开的每个区域中形成一个接触区；源接触区在漂移层的上部隔开的每个区域的表面，且靠近所述JFET区，紧挨所述接触区；栅电极沉积在所述JFET区；在所述接触区形成源电极以及源接触电极；所述源电极通过绝缘层与所述栅电极分离；在所述衬底的背面形成漏接触电极。

10.根据权利要求9所述的碳化硅器件，其特征在于，所述衬底为n型SiC层，所述漏接触电极为Ni层。