[发明专利]铟锆氧化物靶材及其制法及铟锆氧化物薄膜

权利要求书

1.一种铟锆氧化物靶材，其包含铟、锆及氧，其中锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物靶材的平均体电阻率大于或等于8×10^-3欧姆-厘米且小于或等于5×10^-2欧姆-厘米。

2.根据权利要求1所述的铟锆氧化物靶材，其中该锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.22且小于或等于0.35。

3.根据权利要求1或2所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的相对密度为大于98％。

4.根据权利要求3所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的相对密度为大于99％。

5.根据权利要求1或2所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的平均晶粒粒径尺寸为小于5微米。

6.根据权利要求1或2所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的X光衍射光谱中2θ在30°至32°之间具有三氧化二铟的衍射峰及二氧化锆的衍射峰，且该三氧化二铟的衍射峰的强度相对于该二氧化锆的衍射峰的强度的比值为0.7至4.0。

7.根据权利要求1或2所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的体电阻率不均匀度小于1.5％。

8.根据权利要求7所述的铟锆氧化物靶材，其中该铟锆氧化物靶材的体电阻率不均匀度小于或等于1.2％。

9.一种制造根据权利要求1至8中任一项所述的铟锆氧化物靶材的方法，包含下列步骤：

1)将铟的氧化物粉末及锆的氧化物粉末混合并进行喷雾造粒，得到造粒粉末，其中该造粒粉末中锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40；

2)将该造粒粉末进行预成型，得到一靶胚；及

3)将该靶胚于1500℃至1600℃下烧结5小时至10小时，以获得该铟锆氧化物靶材。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该造粒粉末的粒径为大于或等于100微米。

11.一种铟锆氧化物薄膜，其包含铟、锆及氧，其中锆的原子数相对于铟及锆的原子总数的比值大于或等于0.18且小于或等于0.40，且该铟锆氧化物薄膜的片电阻值大于或等于1×10⁷欧姆/单位面积且小于或等于1×10¹⁰欧姆/单位面积。

12.根据权利要求11所述的铟锆氧化物薄膜，其在波长550纳米的透光率为大于94％。

13.根据权利要求11或12所述的铟锆氧化物薄膜，其中该铟锆氧化物薄膜是由根据权利要求1至8中任一项所述的铟锆氧化物靶材所溅镀而成。