[发明专利]一种能够提升增益的高线性度动态残差放大器电路

权利要求书

1.一种能够提升增益的高线性度动态残差放大器电路，包括残差放大器主体模块，所述残差放大器主体模块包括共模检测单元、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容和第二电容，其中第一电容和第二电容的电容值相等；

第一NMOS管的栅极作为所述动态残差放大器电路的正向输入端，其源极连接第二NMOS管的源极和第三NMOS管的漏极；

第二NMOS管的栅极作为所述动态残差放大器电路的负向输入端；

第三NMOS管的栅极作为所述共模检测单元的输出端，其源极连接第四NMOS管的漏极；

第四NMOS管的栅极连接时钟信号，其源极接地；

第一PMOS管和第二PMOS管的栅极均连接所述时钟信号，其源极均连接电源电压；

第一电容的一端连接第一PMOS管的漏极并作为所述动态残差放大器电路的负向输出端，另一端接地；

第二电容的一端连接第二PMOS管的漏极并作为所述动态残差放大器电路的正向输出端，另一端接地；

其特征在于，所述残差放大器主体模块还包括第三PMOS管、第三电容和第四电容，其中第三电容和第四电容的电容值相等；

第三PMOS管的栅极连接所述时钟信号，其源极连接电源电压，其漏极连接所述共模检测单元的输入端并分别通过第三电容连接所述动态残差放大器电路的负向输出端和通过第四电容连接所述动态残差放大器电路正向输出端；

所述动态残差放大器电路还包括增益提升模块，所述增益提升模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第五电容和第六电容，

第五NMOS管的栅极连接第六NMOS管的栅极和所述共模检测单元的输出端，其漏极连接所述动态残差放大器电路的负向输出端，其源极连接第四PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极并通过第五电容后接地；

第六NMOS管的漏极连接所述动态残差放大器电路的正向输出端，其源极连接第五PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极并通过第六电容后接地；

第四PMOS管和第五PMOS管的栅极均连接所述时钟信号，其源极均连接电源电压。

2.根据权利要求1所述的能够提升增益的高线性度动态残差放大器电路，其特征在于，所述动态残差放大器电路还包括衬底偏压控制模块，所述衬底偏压控制模块包括第七NMOS管、第八NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第七电容、第八电容、第九电容和第十电容，其中第七电容、第八电容、第九电容和第十电容的电容值相等；

第六PMOS管的栅极连接所述时钟信号，其源极连接电源电压，其漏极一方面通过第七电容后连接第五NMOS管的源极，另一方面通过第八电容后连接第五NMOS管的衬底和第七NMOS管的漏极；

第七PMOS管的栅极连接所述时钟信号，其源极连接电源电压，其漏极一方面通过第九电容后连接第六NMOS管的源极，另一方面通过第十电容后连接第六NMOS管的衬底和第八NMOS管的漏极；

第七NMOS管和第八NMOS管的栅极均连接所述时钟信号的反相信号，其源极均接地。

3.根据权利要求1或2所述的能够提升增益的高线性度动态残差放大器电路，其特征在于，所述共模检测单元包括两个级联的反相器。