[发明专利]半导体装置及针痕偏移检测方法在审
申请号: | 202010101610.6 | 申请日: | 2020-02-19 |
公开(公告)号: | CN113284815A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 陈建胜;赖明宏;谢铭桓 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 王涛;汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 偏移 检测 方法 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,所述装置包含:
一第一测试垫,包含一中央部与多个周边部,该些周边部邻近于该中央部的边缘设置,该些周边部彼此互不接触,其中该第一测试垫具有多个检测方位,且各该检测方位上至少设有一个该周边部;及
多个第二测试垫,各该第二测试垫通过一第一连接走线与该些周边部的一者电连接,其中该第一测试垫与该些第二测试垫沿一设置方向设置。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,各该周边部沿该中央部的该边缘延伸以涵盖至少二个该检测方位。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,各该周边部包含一第一配置段,各该周边部的该第一配置段位于该些检测方位的一者上,且各该周边部的该第一配置段与该中央部之间不具有另一该周边部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该些检测方位包含多个高机率检测方位,且于各该高机率检测方位上至少设有二个该周边部。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该中央部还通过一第二连接走线与该些周边部中的一者电连接,以电连接至该些第二测试垫中的一者。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该第一测试垫的接触面的所占范围与各该第二测试垫的接触面的所占范围相同。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,该第一测试垫、该些第二测试垫与该些第一连接走线通过同一金属层制成。
8.一种针痕偏移检测方法,其特征在于,所述方法包含:
利用一探针组接触一半导体装置,其中该半导体装置包含一第一测试垫与多个第二测试垫,其中该第一测试垫包含一中央部与多个周边部,该些周边部邻近于该中央部的边缘设置,该些周边部彼此互不接触,该第一测试垫具有多个检测方位,且各该检测方位上至少设有一个该周边部,其中各该第二测试垫通过一第一连接走线与该些周边部的一者电连接,其中该探针组包含一第一探针与多个第二探针,该第一探针用以接触该第一测试垫,该些第二探针用以接触该些第二测试垫;
通过该第一探针输出一测试信号;
利用该些第二探针进行检测以得到多个检测状态;及
根据该些检测状态判断该探针组的一下针位置。
9.根据权利要求8所述的针痕偏移检测方法,其特征在于,判断该探针组的该下针位置的步骤根据表示为接收到该测试信号的至少一个该检测状态决定出该探针组的该下针位置。
10.根据权利要求8所述的针痕偏移检测方法,其特征在于,各该周边部沿该中央部的该边缘延伸以涵盖至少二个该检测方位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造