[发明专利]一种电压电平转换电路

权利要求书

1.一种电压电平转换电路，其特征在于，包括：

连接在第一高电源电压和地之间的上拉电路和下拉电路，所述下拉电路的低压输入端连接低压输入信号，所述上拉电路和所述下拉电路的连接位置输出高压输出信号；以及

连接在所述第一高电源电压和地之间的偏置电路，所述偏置电路的控制端接收第二高电源电压，并根据第二高电源电压向所述下拉电路提供偏置电压，

其中，所述高压输出信号的大小位于所述第一高电源电压和所述第二高电源电压之间。

2.根据权利要求1所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述第一高电源电压和所述第二高电源电压的电势差小于所述上拉电路中晶体管的耐受电压。

3.根据权利要求1所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述上拉电路和所述下拉电路为差分结构。

4.根据权利要求3所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述上拉电路包括：

第一PMOS晶体管，其具有与所述第一高电源电压连接的第一端、与所述下拉电路连接的第二端、以及与第二高压输出信号连接的控制端；以及

第二PMOS晶体管，其具有与所述第一高电源电压连接的第一端、与所述下拉电路连接的第二端、以及与第一高压输出信号连接的控制端，

其中，所述第一高压输出信号和所述第二高压输出信号互为反相信号。

5.根据权利要求4所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述下拉电路包括：

第三PMOS晶体管，其具有与所述第一PMOS晶体管的第二端连接的第一端、接收所述偏置电压的控制端以及第二端；

第四PMOS晶体管，其具有与所述第二PMOS晶体管的第二端连接的第一端、接收所述偏置电压的控制端以及第二端；

第一NMOS晶体管，其具有与所述第三PMOS晶体管的第二端连接的第一端、接收所述低压输入信号的控制端、以及与地连接的第二端；

第二NMOS晶体管，其具有与所述第四PMOS晶体管的第二端连接的第一端、接收所述低压输入信号的反相信号的控制端，以及与地连接的第二端。

6.根据权利要求5所述的电压电平转换电路，其特征在于，还包括反相器，所述反相器的输入端接收所述低压输入信号，输出端提供所述低压输入信号的反相信号。

7.根据权利要求6所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述反相器包括串联连接于低电源电压和地之间的第五PMOS晶体管和第三NMOS晶体管，

所述第五PMOS晶体管和所述第三NMOS晶体管的控制端彼此连接，且接收所述低压输入信号，

所述第五PMOS晶体管和所述第三NMOS晶体管的中间节点提供所述低压输入信号的反相信号。

8.根据权利要求1所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述偏置电路包括串联连接于所述第一高电源电压和地之间的第四NMOS晶体管和电流源，

所述第四NMOS晶体管的控制端接收所述第二高电源电压，

所述第四NMOS晶体管和所述电流源的中间节点提供所述偏置电压。

9.一种电压电平转换电路，其特征在于，包括：

连接在第一高电源电压和地之间的上拉电路和下拉电路，所述上拉电路的高压输入端连接高压输入信号，所述上拉电路和所述下拉电路的连接位置输出低压输出信号；以及

连接在所述第一高电源电压和地之间的偏置电路，所述偏置电路的控制端接收低电源电压，并根据所述低电源电压向所述上拉电路提供偏置电压，

其中，所述高压输入信号的大小位于所述第一高电源电压和第二高电源电压之间。

10.根据权利要求9所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述第一高电源电压和所述第二高电源电压的电势差小于所述上拉电路中晶体管的耐受电压。

11.根据权利要求9所述的电压电平转换电路，其特征在于，所述上拉电路和所述下拉电路为差分结构。