[发明专利]一种MoS2 有效
| 申请号： | 202010101665.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111349907B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;宋维英 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44;C25D11/26 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;游学明 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos base sub | ||
1.一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法，包括如下步骤：
(1)SiO2/Si基底上制备二硫化钨：
以WO3和S粉为前驱体，两者质量比为1:2-6，首先将切割好的SiO2/Si基底依次在丙酮和异丙醇溶液中超声清洗并吹干,将一定量的WO3粉置于陶瓷舟内，将SiO2/Si基底倒扣在陶瓷舟上置于管式炉高温区，将装有硫粉的石英舟置于管式炉的低温区，使两者之间的距离为30-40cm,用真空泵将石英管内压力抽至0.1pa以下后，在石英管内通入400-600sccm的氩气进行清洗，重复4-6次，冲洗结束后将Ar气流量设为30-60sccm；加热管式炉，升温至800℃-850℃，保温5-15min,硫粉达到升华温度后开始升华为硫蒸汽，在氩气流带动下到达高温区，在气相中与氧化钨蒸汽充分反应沉积在SiO2/Si基底上，反应结束后，管式炉自然冷却到室温，即获得不同层数WS2；
(2)制备MoS2/WS2异质结
通过Mo箔的电化学阳极氧化法制备MoOx前驱体，室温下，在0.3-0.6V的电压下进行10-50min的阳极氧化，结束后，用超纯水冲洗氧化后的钼箔并吹干，将拱形MoOx箔置于瓷舟中WS2/SiO2/Si基底的上方，将陶瓷舟置于管式炉的高温区，将硫粉置于管式炉的低温区，用真空泵将石英管内压力抽至0.1pa以下后，通入400-600sccm氩气清洗，重复4-6次，冲洗结束后使炉腔内的压力保持在30-200Pa至反应结束，加热管式炉，升温至550-700℃，保温5-15min，关闭加热，自然冷却至室温，即获得单层MoS2/WS2异质结。
2.根据权利要求1所述的一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，以WO3和S粉为前驱体，两者的质量比为1:3-5。
3.根据权利要求1所述的一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，采用Mo箔的电化学阳极氧化法制备MoOx前驱体，电镀电压为0.4-0.5V，阳极氧化时间为20-40min。
4.根据权利要求1所述的一种MoS2/WS2垂直异质结的制备方法，其特征在于：步骤(2)中的MoS2/WS2垂直异质结制备是在低温低压条件下，压力为50-100pa,温度为600-650℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010101665.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
