[发明专利]光电转换单元及图像传感器

权利要求书

1.一种光电转换单元，其特征在于，包括衬底、形成于所述衬底中的第一掺杂区和输出端，所述第一掺杂区和所述输出端之间形成导电沟道，所述衬底上形成有第一钳位层，所述第一钳位层与所述第一掺杂区相连接，还包括第一传输栅，所述第一传输栅至少部分与所述第一钳位层相连接，所述第一钳位层位于所述第一传输栅与所述第一掺杂区之间，所述衬底的掺杂材料类型与所述第一掺杂区的掺杂材料类型相同，且与所述第一钳位层的掺杂材料类型不同。

2.根据权利要求1所述的光电转换单元，其特征在于，所述光电转换单元还包括形成于所述衬底上的吸附层，所述吸附层位于所述衬底远离所述第一掺杂区的一侧表面，所述吸附层用于吸附所述衬底上的空穴以降低电势。

3.根据权利要求1所述的光电转换单元，其特征在于，所述光电转换单元还包括形成于所述衬底中的两第一隔离区，两所述第一隔离区分别位于所述衬底的相对两侧，所述第一隔离区的掺杂材料类型与所述衬底的掺杂材料类型不同。

4.根据权利要求1所述的光电转换单元，其特征在于，所述光电转换单元的衬底掺杂类型为N型掺杂材料。

5.根据权利要求1所述的光电转换单元，其特征在于，所述光电转换单元还包括形成于至少部分包含于所述第一掺杂区中的第一缓存区，所述第一缓存区位于所述第一掺杂区靠近所述输出端的一侧。

6.根据权利要求3所述的光电转换单元，其特征在于，所述光电转换单元还包括形成于至少部分包含于所述第一掺杂区中的第一缓存区，所述第一缓存区位于所述第一掺杂区靠近所述输出端的一侧，所述衬底中还形成有第二隔离区，所述第二隔离区与所述第一隔离区连接，所述第二隔离区在所述衬底上的投影覆盖所述第一缓存区，所述第二隔离区的掺杂材料类型与所述第一隔离区的掺杂材料类型相同。

7.根据权利要求3所述的光电转换单元，其特征在于，所述衬底中还形成有第三隔离区，所述第三隔离区直接或间接与所述第一隔离区连接，所述第三隔离区的掺杂材料类型与所述第一隔离区的掺杂材料类型相同，所述输出端位于所述第三隔离区内。

8.根据权利要求1所述的光电转换单元，其特征在于，所述衬底内形成有第二钳位层，所述第二钳位层与所述第一钳位层连接，所述第二钳位层的掺杂材料类型与所述第一钳位层的掺杂材料类型相同。

9.根据权利要求8所述的光电转换单元，其特征在于，所述第一钳位层与所述第二钳位层上形成有调制栅，所述调制栅连接于所述第一钳位层与所述第二钳位层之间。

10.根据权利要求8所述的光电转换单元，其特征在于，所述第一钳位层的掺杂材料浓度小于所述第二钳位层的掺杂材料浓度。

11.一种图像传感器，其特征在于，包括如权利要求1至10中任意一项所述的光电转换单元。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包含电路模块，所述电路模块中第一传输栅独立于所述输出端，所述电路模块还包括设置于直流偏置电压源和所述输出端连接线路上的具有复位功能的MOS管。