[发明专利]一种用于n_flash型可编程逻辑器件的配置控制电路有效

专利信息
申请号: 202010102257.3 申请日: 2020-02-19
公开(公告)号: CN111292791B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 曹正州;何小飞;单悦尔;张艳飞;孙佩 申请(专利权)人: 无锡中微亿芯有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/14;G11C16/08;G11C16/24
代理公司: 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 代理人: 聂启新
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 n_flash 可编程 逻辑 器件 配置 控制电路
【说明书】:

发明公开了一种用于n_flash型可编程逻辑器件的配置控制电路,涉及可编程逻辑器件技术领域,该配置控制电路以字线通道、位线通道、数据读取通道以及衬底通道为核心构成基本单元,多个基本单元并行,实现对n_flash存储单元形成的存储阵列的控制,适用于大规模n_flash型可编程逻辑器件;每个基本单元能够实现稳定的擦除、编程和读取功能外,还提供过擦除检测功能,且不需要额外增加字线译码电路,实现灵活,适用于n_flash型可编程器件快速稳定的配置。

技术领域

本发明涉及可编程逻辑器件技术领域,尤其是一种用于n_flash型可编程逻辑器件的配置控制电路。

背景技术

flash型可编程逻辑器件基于可重复配置的flash型存储技术,通过重新下载编程,完成电路逻辑的配置,从而实现用户不同的功能,具有掉电信息不丢失、上电启动快、外围电路简洁、开发周期短等优点,因此成为了集成电路芯片的主流,广泛应用于控制领域。配置n_flash型存储器,是可编程逻辑器件逻辑应用中最关键的部分,因此需要设计合适的配置控制电路。

发明内容

本发明人针对上述问题及技术需求,提出了一种用于n_flash型可编程逻辑器件的配置控制电路,本发明的技术方案如下:

一种用于n_flash型可编程逻辑器件的配置控制电路,包括若干个n_flash存储单元构成的存储阵列,该配置控制电路包括:字线电路、位线电路、数据读取电路以及衬底电位电路;字线电路包括若干个字线通道,每个字线通道分别对应存储阵列中的一行,每个字线通道的栅端信号端分别连接对应行的各个n_flash存储单元的栅端;位线电路包括若干个位线通道,每个位线通道分别对应存储阵列中的一列,每个位线通道的漏端信号端分别连接对应列的各个n_flash存储单元的漏端,位线通道的源端信号端分别连接对应列的各个n_flash存储单元的源端;数据读取电路包括若干个数据读取通道,每个数据读取通道分别对应一个位线通道,每个数据读取通道分别连接对应的位线通道的数据读取端,位线通道的数据读取端可通断的连接至位线通道的漏端信号端,每个数据读取通道的数据输出端输出反馈信号;衬底电位电路包括若干个衬底通道,每个衬底通道分别对应存储阵列中的一行,每个衬底通道的衬底信号端分别连接对应行的各个n_flash存储单元的衬底;

配置控制电路具有对存储阵列中的n_flash存储单元的擦除功能、编程功能、读取功能和过擦除检测功能:

在擦除时,字线电路的各个字线通道通过栅端信号端向各个n_flash存储单元的栅端输出-16.5V,位线电路的各个位线通道通过漏端信号端向各个n_flash存储单元的漏端输出+1.5V、源端信号端分别悬空;衬底电位电路的各个衬底通道分别通过衬底信号端向各个n_flash存储单元的衬底输出+1.5V;

在编程时,字线电路的部分字线通道通过栅端信号端向选中的n_flash存储单元的栅端输出+12.5V,字线电路的其余部分字线通道通过栅端信号端向未选中的n_flash存储单元的栅端输出-1.5V;位线电路的部分位线通道通过漏端信号端向选中的n_flash存储单元的漏端输出-5.5V、通过源端信号端向选中的n_flash存储单元的源端输出-5.5V;位线电路的其余部分位线通道通过漏端信号端向未选中的n_flash存储单元的漏端输出+1.5V、通过源端信号端向未选中的n_flash存储单元的源端输出+1.5V;衬底电位电路的各个衬底通道分别通过衬底信号端向各个n_flash存储单元的衬底输出-5.5V;

在读取时,字线电路的部分字线通道通过栅端信号端向选中的n_flash存储单元的栅端输出+3.3V,字线电路的其余部分字线通道通过栅端信号端向未选中的n_flash存储单元的栅端输出-2.5V;各个n_flash存储单元的漏端通过所连接的漏端信号端所属的位线通道连接到相应的数据读取通道,数据读取通道的数据输出端输出与n_flash存储单元的漏端电压对应的反馈信号;位线电路的各个位线通道通过源端信号端向各个n_flash存储单元的源端输出0V;衬底电位电路的各个衬底通道分别通过衬底信号端向各个n_flash存储单元的衬底输出0V;

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