[发明专利]球面结构的制作方法在审
| 申请号： | 202010102952.X | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113277465A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 潘强 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 球面 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种球面结构的制作方法，包括：
在基片表面形成掩模图形；
对所述掩模图形进行回流处理，形成凸球面的掩模图形；
以所述凸球面的掩模图形为掩摸，使用深反应离子刻蚀机台刻蚀所述基片的表面，将所述凸球面的掩模图形消耗完，从而在所述基片的表面形成凸球面。
2.如权利要求1所述的球面结构的制作方法，其中，
所述回流处理的温度为120℃～200℃，时间为3-10分钟。
3.如权利要求1所述的球面结构的制作方法，其中，
在利用深反应离子蚀刻机台进行刻蚀的步骤中，所述基片与所述凸球面的掩模图形的刻蚀速率选择比为1.2:1～3:1。
4.如权利要求1所述的球面结构的制作方法，其中，
在利用深反应离子蚀刻机台进行刻蚀的步骤中，蚀刻气体为八氟环丁烷(C4F8)和六氟化硫(SF6)的混合气体。
5.如权利要求1所述的球面结构的制作方法，其中，
在利用深反应离子蚀刻机台进行刻蚀的步骤中，所述基片的温度为0℃-10℃，机台内的压力为20mTorr-80mTorr，蚀刻气体的流量为100-500sccm，等离子体功率为1000W-2500W,偏压功率200-800W,蚀刻时间20-120min。
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