[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审

专利信息
申请号: 202010103533.8 申请日: 2020-02-20
公开(公告)号: CN111613541A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 拉马肯斯·阿拉帕蒂;达雷尔·贝克;安东尼·大桂诺 申请(专利权)人: 安靠科技新加坡控股私人有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01S5/028
代理公司: 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 代理人: 何尤玉;郭仁建
地址: 新加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种用于形成封装电子装置结构的方法,包括:

提供具有主表面的衬底;

将第一装置附接到所述衬底的所述主表面;以及

形成包封所述第一装置的一部分的封装体,其中所述第一装置的侧表面暴露于所述封装体的外部。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

将第二装置附接到与所述第一装置间隔开的所述主表面,以在所述第一装置与所述第二装置之间提供间隙,其中:

形成所述封装体包括形成所述封装体,使得所述间隙不含所述封装体。

3.根据权利要求2所述的方法,其中:

形成所述封装体包括:

放置阻挡结构以包围所述间隙;以及

将所述封装体模制到所述第一装置的至少一部分上。

4.根据权利要求3所述的方法,其中:

放置所述阻挡结构包括放置具有跨越所述间隙延伸的部分的模套工具,所述模套工具具有安置于所述模套工具与所述第一装置和所述第二装置之间的保护膜。

5.根据权利要求2所述的方法,其中:

所述第一装置包括第一半导体装置。

6.根据权利要求5所述的方法,其中:

所述第二装置包括虚设装置。

7.根据权利要求5所述的方法,其中:

所述第二装置包括第二半导体装置。

8.根据权利要求2所述的方法,其进一步包括:

通过所述间隙分离所述衬底。

9.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

将所述第一装置电连接到所述衬底,其中:

所述第一装置的所述侧表面包含发射极区。

10.根据权利要求9所述的方法,其中:

电连接包括将导电互连结构附接到所述第一装置和所述衬底;以及

形成所述封装体包括形成模制结构,所述模制结构用所述封装体覆盖所述导电互连结构。

11.根据权利要求1所述的方法,其中:

形成所述封装体包括覆盖所述第一装置的至少50%的主表面。

12.根据权利要求1所述的方法,其中:

形成所述封装体包括提供具有封装体侧表面的所述封装体,其中暴露所述第一装置的所述侧表面;以及

所述封装体侧表面在截面图中具有倾斜形状。

13.一种封装半导体装置结构,包括:

衬底,所述衬底具有主表面;

半导体装置,所述半导体装置连接到所述衬底的所述主表面,所述半导体装置具有第一主表面、与所述第一主表面相对的第二主表面,以及在所述第一主表面与所述第二主表面之间延伸的侧表面;以及

封装体,所述封装体包封所述半导体装置的一部分,其中所述半导体装置的所述侧表面通过所述封装体的侧表面暴露。

14.根据权利要求13所述的结构,其中:

所述封装体包括模制结构,所述模制结构接触并覆盖所述半导体装置的所述第一主表面的至少一部分。

15.根据权利要求13所述的结构,其中:

所述半导体装置包括激光装置;以及

所述半导体装置的所述侧表面包含发射极区。

16.根据权利要求13所述的结构,其进一步包括:

导电互连结构,所述导电互连结构将所述半导体装置电连接到所述衬底,其中:

所述封装体包封所述导电互连结构。

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