[发明专利]磁畴壁移动元件和磁记录阵列

权利要求书

1.一种磁畴壁移动元件，其特征在于，包括：

第一铁磁性层；

磁记录层，其相对于所述第一铁磁性层位于第一方向且沿第二方向延伸；

非磁性层，其位于所述第一铁磁性层与所述磁记录层之间；以及

第一电极和第二电极，它们位于所述磁记录层的与所述非磁性层相反的一侧，在所述第一方向上与所述磁记录层的一部分分别重叠，

所述第一电极包含磁化取向在与所述第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，

所述磁记录层具有：与所述第一电极及所述第一铁磁性层在所述第一方向上重叠的第一区域；与所述第二电极及所述第一铁磁性层在所述第一方向上重叠的第二区域；以及被所述第一区域和所述第二区域夹着的第三区域，

所述第一区域的与所述第一电极对置的第一部分的面积比所述第二区域的与所述第二电极对置的第二部分的面积大，

所述第一铁磁性层在所述第一方向上与所述第一电极及所述第二电极的一部分重叠。

2.如权利要求1所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述第二电极包含磁化取向在与所述第一铁磁性层的磁化的朝向相同的方向的磁性体。

3.如权利要求1或2所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

还包括基片，

所述第一铁磁性层位于比所述磁记录层靠近所述基片处。

4.如权利要求3所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

还具有覆盖所述磁记录层的所述第三区域的绝缘层。

5.如权利要求1或2所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

还包括基片，

所述第一铁磁性层位于比所述磁记录层远离所述基片的位置。

6.如权利要求5所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述磁记录层的所述第二方向的侧面相对于所述第一方向倾斜。

7.如权利要求5所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

所述第一电极具有相对于所述第一方向倾斜的第一倾斜部。

8.如权利要求5所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

在通过所述磁记录层的与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向的中心且在所述第一方向和所述第二方向上扩展的截面中，

所述第一电极具有第一侧面和位于比所述第一侧面靠近所述第二电极处的第二侧面，

所述第一侧面具有拥有比所述第二侧面相对于所述第一方向的倾斜角大的倾斜角的部分。

9.如权利要求5所述的磁畴壁移动元件，其特征在于：

在通过所述磁记录层的与所述第一方向及所述第二方向正交的第三方向的中心且在所述第一方向和所述第二方向上扩展的截面中，

所述第一电极具有第一侧面和位于比所述第一侧面靠近所述第二电极处的第二侧面，

所述第一侧面具有相对于所述第一方向的倾斜度不连续地变化的部分。

10.一种磁记录阵列，其特征在于：

具有多个权利要求1～9中任一项所述的磁畴壁移动元件。