[发明专利]一种单元标记及其设计方法

说明书

本发明提供一种单元标记及其设计方法，提供设计在版图上的标记实心结构，将标记实心结构内挖空形成标记外框；在标记外框内填充与该标记外框边界衔接的等间隔排列的若干条形结构，形成标记，若干条形结构彼此宽度相等；沿标记外框的边向其内部缩小0.6微米；在版图上复制多个缩小后的标记，并将多个缩小后的标记进行拼接，其中相邻的标记外框的拼接处的宽度为0.6微米。由于自对准双重图形工艺做不出来尺寸较大的条形结构和间距，因此本发明对原有单元标记进行分割处理，来达到测量或者对准的目的。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种单元标记及其设计方法。

背景技术

20nmNAND器件和14nm工艺节点引入双重图形(double pattern)技术，主要应用在鳍式场效应晶体管(Fin)、多晶硅、第一、第二金属层以及通孔等更小pitch(条形结构与间距之和)的层次上，目前主流的双重图形(double pattern)工艺主要为以下类型：LLE(光刻-光刻-刻蚀)、LELE(光刻-刻蚀-光刻-刻蚀)以及SADP(自对准双重图形)工艺。

通过自对准双重图形工艺(SADP)方式，可以获得光刻无法曝开的较小Pitch，使pitch缩小一倍，但限于图形是大量重复单元的层次。在标记(FRAME)中单元标记(Framecell mark)是摆放在切割道上，用于对准和测量的图形。而目前的SADP工艺做不出来尺寸较大的条形(line)或者间距(space)，因此，有必要提出一种新的单元标记及其设计方法用于解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种单元标记及其设计方法，用于解决现有技术中由于自对准双重图形工艺不能做出尺寸较大的条形或间隔的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种单元标记，至少包括：多个相互拼接的标记外框；其中相邻的所述标记外框的拼接处设有间隙，该间隙的宽度为0.6微米；设置于每个所述标记外框内、并且与该标记外框边界衔接的等间隔排列的若干条形结构，所述若干条形结构彼此宽度相等。

优选地，所述标记外框的形状呈L型。

优选地，所述L型的标记外框的外侧横向边长和外侧纵向边长分别为19.4微米。

优选地，所述L型的标记外框的个数为四个。

优选地，所述四个L型的标记外框分别按照左上、右上、左下、右下的位置相互拼接。

优选地，所述每个L型的标记外框内设置的所述若干条形结构呈横向排列且与所述标记外框边界衔接。

优选地，所述每个L型的标记外框内设置的所述若干条形结构呈纵向排列且与所述标记外框边界衔接。

优选地，设置于所述每个所述L型的标记外框内的所述若干条形结构中，每个所述条形结构的宽度为38nm。

优选地，设置于所述每个所述L型的标记外框内的所述若干条形结构中，每个所述条形结构的宽度为52nm。

优选地，设置于所述每个所述L型的标记外框内的所述若干条形结构中，每个所述条形结构的宽度为100nm。

本发明还提供一种单元标记的设计方法，该方法至少包括以下步骤：

步骤一、提供设计在版图上的标记实心结构，将所述标记实心结构内挖空形成标记外框；

步骤二、在所述标记外框内填充与该标记外框边界衔接的等间隔排列的若干条形结构，形成标记，所述若干条形结构彼此宽度相等；

步骤三、沿所述标记外框的边向其内部缩小0.6微米；

步骤四、在所述版图上复制多个缩小后的所述标记，并将多个缩小后的所述标记进行拼接，其中相邻的所述标记外框的拼接处的宽度为0.6微米。