[发明专利]一种中红外双波段带通滤光片及其制备方法

权利要求书

1.一种中红外双波段带通滤光片，其特征在于：包括基底和形成在基底两侧表面上的带通滤光膜、负滤光膜；所述带通滤光膜的膜系结构为Sub/(LH)^9(HL)^8/Air；所述负滤光膜的膜系结构为Sub/(LH)^9(HL)^3H/Air；

其中，Sub为基底，L为SiO膜层，H为Ge膜层；

所述带通滤光膜中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第34层，第1层、第34层的几何厚度值为：第1层195.375nm、第34层469.8755nm。

2.根据权利要求1所述的中红外双波段带通滤光片，其特征在于：所述滤光片基底为Si基底。

3.根据权利要求1所述的中红外双波段带通滤光片，其特征在于：所述带通滤光膜中，第2～33层的几何厚度值为：第2层120.825nm，第3层475.875nm，第4层146.138nm，第5层328.875nm，第6层177.525nm，第7层404.625nm，第8层168.244nm，第9层375.75nm，第10层166.725nm，第11层362.25nm，第12层187.988nm，第13层382.875nm，第14层171.45nm，第15层341.625nm，第16层141.75nm，第17层427.5nm，第18层103.781nm，第19层414.619nm，第20层894.75nm，第21层399.938nm，第22层920.25nm，第23层386.944nm，第24层890.25nm，第25层403.313nm，第26层864.75nm，第27层404.663nm，第28层882nm，第29层400.275nm，第30层904.5nm，第31层404.494nm，第32层944.25nm，第33层410.569nm。

4.根据权利要求1所述的中红外双波段带通滤光片，其特征在于：所述负滤光膜中，与基底相邻的膜层为第1层，最外层为第25层，第1～25层的几何厚度值为；第1层1113.778nm，第2层534.8nm，第3层3319.556nm，第4层578.2nm，第5层3302.444nm，第6层630nm，第7层3240.222nm，第8层653.1nm，第9层3196.667nm，第10层668.5nm，第11层3134.445nm，第12层710.5nm，第13层3115.778nm，第14层670.6nm，第15层3112.667nm，第16层730.1nm，第17层3132.889nm，第18层655.9nm，第19层3139.111nm，第20层715.4nm，第21层3055.111nm，第22层1779.4nm，第23层3076.889nm，第24层1582nm，第25层542.889nm。

5.一种如权利要求1所述的中红外双波段带通滤光片的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：

(1)在基底上单面镀制带通滤光膜

a、清洁基底，并用离子源轰击2min～6min；

b.将基底放入真空室内，抽真空至9×10-3Pa～2×10-4Pa，加热基底至50℃～170℃，保温10min～60min；

c.镀制第1层膜层，对SiO膜料进行预熔，用预熔后的SiO膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用SiO膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使SiO膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第1层膜层的厚度；

d.镀制第2层膜层，对Ge膜料进行预熔，用预熔后的Ge膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用Ge膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使Ge膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第2层膜层的厚度；

e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～18层膜层；依次重复步骤d和步骤c，镀制第19～34层膜层；

f.将镀制完成34层膜层的滤光片放置在200℃的真空室内保温2小时，然后冷却至室温后取出单面镀制好带通滤光膜的光学零件；

(2)在基底另一面镀制负滤光膜

a.清洁基底上未镀膜的一面，并用离子源轰击2min～6min；

b.将基底放入真空室内，抽真空至9×10-3Pa～2×10-4Pa，加热基底至50℃～170℃，保温10min～60min；

c.镀制第1层膜层，对SiO膜料进行预熔，用预熔后的SiO膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用SiO膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使SiO膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第1层膜层的厚度；

d.镀制第2层膜层，对Ge膜料进行预熔，用预熔后的Ge膜料对基底进行离子轰击，真空度为9×10-3Pa～2×10-4Pa，离子轰击电压100V-130V负高压，离击时间为8min-13min；用Ge膜料进行蒸镀，蒸镀时真空室压强为9×10-3Pa～2×10-4Pa，蒸发速率为0.5nm/s-2nm/s，使Ge膜料离子沉积在基底上，采用石英晶体监控的方法确定第2层膜层的厚度；

e.依次重复步骤c和步骤d，镀制第3～18层膜层；依次重复步骤d和步骤c，镀制第19～24层膜层；重复步骤d，镀制第25层膜层；

f.将镀制完成25层膜层的滤光片放置在200℃的真空室内保温2小时，然后冷却至室温后取出双面均镀制好的光学零件。