[发明专利]有机电致发光显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010105135.X | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111293149A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 于天成 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种有机电致发光显示面板,包括衬底基板,所述衬底基板上形成有多个子像素,各所述子像素包括相对设置的第一电极层和第二电极层,以及设于所述第一电极层和所述第二电极层之间的有机发光功能层,所述第二电极层位于出光侧;其特征在于,至少一个所述子像素还包括:
吸光层,所述吸光层设置在所述第二电极层远离所述有机发光功能层的一侧,且所述吸光层和有机发光功能层在所述衬底基板上的投影重叠;
其中,所述吸光层的吸光光谱曲线的吸光峰值波长大于对应的所述子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长,所述吸光层的吸光光谱曲线的最小吸光波长大于对应的所述子像素的发光光谱曲线的最小发光波长,且所述吸光层的吸光光谱曲线覆盖的波长范围与对应的所述子像素的发光光谱曲线覆盖的波长范围具有重叠。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述多个子像素包括绿色子像素和蓝色子像素中的至少一种,其中,至少一个所述绿色子像素和/或至少一个所述蓝色子像素包括所述吸光层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,其中,各所述绿色子像素和/或各所述蓝色子像素均包括所述吸光层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述蓝色子像素对应的所述吸光层吸光光谱曲线的吸光峰值波长位于480-510nm之间。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述吸光层的材料包括如下结构式(1)所示的化合物:
6.根据权利要求1-3中任一项所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述绿色子像素对应的所述吸光层吸光光谱曲线的吸光峰值波长位于560-610nm之间。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述吸光层的材料包括如下结构式(2)所示的化合物:
8.根据权利要求3所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述子像素还包括用于定义所述子像素区域的像素界定层,所述像素界定层具有开口,所述子像素对应的所述吸光层包含位于所述像素界定层的开口内的部分;在所述开口内且垂直于所述显示面板的方向上,所述吸光层远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离小于或等于所述像素界定层远离所述衬底基板的表面到所述衬底基板的距离。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述吸光层的厚度不超过1μm。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,各所述子像素还包括封装层,所述封装层形成于所述第二电极层远离所述有机发光功能层的一侧,且覆盖所述吸光层。
11.一种有机电致发光显示面板的制备方法,所述有机电致发光显示面板包括多个子像素,其特征在于,包括:
提供一衬底基板,在所述衬底基板上依次形成各所述子像素的第一电极层、有机发光功能层和第二电极层,所述第二电极层位于出光侧;
在至少一个所述子像素的所述第二电极层远离所述有机发光功能层的一侧形成吸光层,所述吸光层和所述有机发光功能层在所述衬底基板上的投影重叠;
其中,所述吸光层的吸光光谱曲线的吸光峰值波长大于对应的所述子像素的发光光谱曲线的发光峰值波长,所述吸光层的吸光光谱曲线的最小吸光波长大于对应的所述子像素的发光光谱曲线的最小发光波长,且所述吸光层的吸光光谱曲线覆盖的波长范围与对应的所述子像素的发光光谱曲线覆盖的波长范围具有重叠。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光显示面板的制备方法,其特征在于,所述吸光层采用蒸镀的方法形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010105135.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的