[发明专利]一种自补偿的电流舵电荷泵电路有效
申请号: | 202010105921.X | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111240386B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 周前能;谢吉辉;李红娟;石头 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | G05F1/46 | 分类号: | G05F1/46;G05F1/56;H03L7/107;H03L7/08 |
代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 | 代理人: | 刘小红;陈栋梁 |
地址: | 400065 重*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 补偿 电流 电荷 电路 | ||
1.一种自补偿的电流舵电荷泵电路,其特征在于,包括:充/放电电流源补偿电路(1)及电荷泵核心电路(2),其中所述充/放电电流源补偿电路(1)的信号输出端与所述电荷泵核心电路(2)的信号输入端相连,所述电荷泵核心电路(2)的信号输出端与所述充/放电电流源补偿电路(1)的信号输入端相连;所述充/放电电流源补偿电路(1)为所述电荷泵核心电路(2)的充/放电流源提供偏置信号以及电流补偿信号,所述电荷泵核心电路(2)为所述充/放电电流源补偿电路(1)提供偏置信号;
所述充/放电电流源补偿电路(1)包括:参考电流源Icp1、参考电流源Icp2、NMOS管Mn0、PMOS管Mp1、PMOS管Mp2、PMOS管Mp3、PMOS管Mp4、PMOS管Mp5、PMOS管Mp6、PMOS管Mp7、PMOS管Mp8、PMOS管Mp9、PMOS管Mp0、NMOS管Mn1、NMOS管Mn2、NMOS管Mn3、NMOS管Mn4、NMOS管Mn5、NMOS管Mn6、NMOS管Mn7、NMOS管Mn8、NMOS管Mn9、NMOS管M1、NMOS管M2、PMOS管M3及PMOS管M4,其中PMOS管Mp9的源极与外部电源VDD相连,PMOS管Mp9的栅极分别与PMOS管Mp9的漏极以及PMOS管Mp8的源极相连,PMOS管Mp8的栅极分别与PMOS管Mp8的漏极以及PMOS管Mp7的源极相连,PMOS管Mp7的栅极分别与PMOS管Mp7的漏极以及PMOS管Mp6的源极相连,PMOS管Mp6的栅极分别与PMOS管Mp6的漏极以及PMOS管Mp5的源极相连,PMOS管Mp5的栅极分别与PMOS管Mp5的漏极以及PMOS管Mp4的源极相连,PMOS管Mp4的栅极分别与NMOS管Mn0的栅极以及电荷泵的输出端Vout相连,PMOS管Mp4的漏极分别与NMOS管Mn0的漏极以及PMOS管Mp3的栅极相连,NMOS管Mn0的源极分别与PMOS管Mp3的漏极、NMOS管M2的源极、NMOS管Mn1的源极以及外部地GND相连,参考电流源Icp1的一端分别与PMOS管Mp1的源极、PMOS管M3的源极以及外部电源VDD相连,参考电流源Icp1的另一端分别与PMOS管Mp2的漏极、NMOS管M1的漏极、NMOS管M2的栅极、NMOS管M8的栅极、NMOS管M14的栅极以及NMOS管M23的栅极相连,NMOS 管M1的栅极分别与NMOS管M7的栅极以及外部电源VDD相连,NMOS管M1的源极与NMOS管M2的漏极相连,PMOS管Mp1的栅极分别与PMOS管Mp2的栅极、NMOS管Mn2的栅极、NMOS管Mn1的栅极以及电荷泵的输出端Vout相连,PMOS管Mp1的漏极分别与PMOS管Mp2的源极以及PMOS管Mp3的源极相连,PMOS管M3的漏极与PMOS管M4的源极相连,PMOS管M3的栅极分别与PMOS管M5的栅极、PMOS管M24的栅极、PMOS管M10的栅极、PMOS管M4的漏极、NMOS管Mn2的漏极以及参考电流源Icp2的一端相连,PMOS管M4的栅极分别与PMOS管M6的栅极以及外部地GND相连,参考电流源Icp2的另一端分别与NMOS管Mn9的源极以及外部地GND相连,NMOS管Mn3的漏极分别与PMOS管Mp0的源极以及外部电源VDD相连,NMOS管Mn3的源极分别与NMOS管Mn2的源极以及NMOS管Mn1的漏极相连,PMOS管Mp0的栅极分别与NMOS管Mn4的栅极以及电荷泵的输出端Vout相连,PMOS管Mp0的漏极分别与NMOS管Mn3的栅极以及NMOS管Mn4的漏极相连,NMOS管Mn4的源极分别与NMOS管Mn5的漏极以及NMOS管Mn5的栅极相连,NMOS管Mn5的源极分别与NMOS管Mn6的漏极以及NMOS管Mn6的栅极相连,NMOS管Mn6的源极分别与NMOS管Mn7的漏极以及NMOS管Mn7的栅极相连,NMOS管Mn7的源极分别与NMOS管Mn8的漏极以及NMOS管Mn8的栅极相连,NMOS管Mn8的源极分别与NMOS管Mn9的漏极以及NMOS管Mn9的栅极相连;
所述电荷泵核心电路(2)包括:PMOS管M5、PMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、NMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、PMOS管M15、NMOS管M16、PMOS管M17、NMOS管M18、NMOS管M19、PMOS管M20、NMOS管M21、PMOS管M22、NMOS管M23、PMOS管M24及放大器A1,其中PMOS管M5的源极分别与PMOS管M9的源极、PMOS管M24的源极、PMOS管M24的漏极、PMOS管M10的源极以及外部电源VDD相连,PMOS管M5的漏极与PMOS 管M6的源极相连,PMOS管M6的漏极分别与NMOS管M12的漏极以及NMOS管M13的栅极相连,NMOS管M12的栅极分别与NMOS管M13的源极以及NMOS管M14的漏极相连,NMOS管M12的源极分别与NMOS管M8的源极、NMOS管M23的源极、NMOS管M23的漏极以及NMOS管M14的源极相连,PMOS管M9的栅极分别与PMOS管M10的漏极以及PMOS管M11的源极相连,PMOS管M9的漏极分别与PMOS管M11的栅极以及NMOS管M7的漏极相连,NMOS管M7的源极与NMOS管M8的漏极相连,PMOS管M11的漏极分别与PMOS管M15的源极、NMOS管M16的漏极、PMOS管M17的源极以及NMOS管M18的漏极相连,PMOS管M15的栅极与信号端UP相连,NMOS管M16的栅极分别与PMOS管M17的栅极以及信号端相连,PMOS管M15的漏极分别与NMOS管M16的源极、放大器A1的输出端、放大器A1的反相输入端、NMOS管M19的漏极以及PMOS管M20的源极相连,NMOS管M19的栅极与信号端相连,PMOS管M20的栅极分别与NMOS管M21的栅极以及信号端DN相连,NMOS管M19的源极分别与PMOS管M20的漏极、NMOS管M21的源极、PMOS管M22的漏极以及NMOS管M13的漏极相连,NMOS管M18的栅极与信号端UP相连,NMOS管M18的源极分别与PMOS管M17的漏极、放大器A1的同相输入端、NMOS管M21的漏极、PMOS管M22的源极以及电荷泵的输出端Vout相连,PMOS管M22的栅极与信号端相连。
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