[发明专利]一种半导体抛光片清洗设备及清洗方法

权利要求书

1.一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，包括：

分离单元：用于将抛光后的硅圆片与装载所述硅圆片的一号片篮脱离分开；

清洗单元：包括若干连续设置的清洗装置，用于对所述硅圆片进行清洗；

合体单元：将清洗后的所述硅圆片装载入二号片篮中；

在所述分离单元、所述清洗单元和所述合体单元中，分别设有独立的机械手对所述一号片篮或所述硅圆片进行移动操作。

2.根据权利要求1所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，所述分离单元包括分离槽和置于所述分离槽内的可活动分离顶架，所述分离顶架可贯穿所述一号片篮底部并将所述硅圆片与所述一号片篮分开。

3.根据权利要求2所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，所述分离单元还包括上载槽和第一机械手，所述上载槽置于所述分离槽远离所述清洗单元一侧，所述第一机械手将所述一号片篮和所述硅圆片一同从所述上载槽转移至所述分离槽。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，所述清洗单元包括一号液槽和二号液槽，所述一号液槽靠近所述分离单元设置；在所述二号液槽前后分别设有一号洗槽和二号洗槽设置，所述一号洗槽位于所述一号液槽和所述二号液槽之间。

5.根据权利要求4所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，所述清洗单元还包括第二机械手和第三机械手，所述第二机械手将所述硅圆片从所述分离单元中依次移动至所述一号液槽和所述一号洗槽中进行清洗；所述第三机械手将所述硅圆片从所述一号洗槽中依次移动至所述二号液槽和所述二号洗槽中进行清洗。

6.根据权利要求5所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，在所述一号液槽和所述二号液槽中均设有摇动装置和超声装置，所述摇动装置包括托架和置于所述托架下方的摇动手臂，所述托架用于放置所述硅圆片；所述摇动手臂可通过所述托架带动所述硅圆片进行摇摆清洗；所述超声装置包括置于所述一号液槽和所述二号液槽的超声器。

7.根据权利要求5或6所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，所述合体单元包括合体槽和第四机械手，所述二号片篮预先置于所述合体槽内，所述第四机械手将清洗后的所述硅圆片装入所述二号片篮中。

8.根据权利要求7所述的一种半导体抛光片清洗设备，其特征在于，在所述合体槽和所述清洗单元之间还设有烘干单元，所述烘干单元依次包括慢提拉槽和烘干槽，所述第四机械将所述硅圆片从所述二号洗槽中移出，并将所述硅圆片依次移动至所述慢提拉槽、所述烘干槽和所述合体槽中。

9.一种半导体抛光片清洗方法，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的清洗设备，步骤包括：在所述分离单元中将所述硅圆片与所述一号片篮脱离；然后在所述清洗单元中对所述硅圆片进行单独清洗；最后再将清洗后的所述硅圆片装入所述二号片篮中。

10.根据权利要求9所述的一种半导体抛光片清洗方法，其特征在于，在所述清洗单元中，所述一号液槽中装有包括NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合液体，NH₄OH:H₂O₂:H₂O的体积比为1:1:5-1:2:7，清洗温度为65°-80°；所述二号液槽中装有包括HCL、H₂O₂和H₂O的混合液体，HCL:H₂O₂:H₂O的体积比为1:1:6-1:2:8，清洗温度为65°-80°。