[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式涉及半导体装置。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层；栅电极，位于第1沟槽中；场板电极；金属区域，位于第2沟槽中，与第2半导体区域电连接；栅极绝缘层，位于栅电极与半导体层之间；场板绝缘层，位于场板电极与半导体层之间；第1电极，与第3半导体区域及金属区域电连接；以及第2电极，该半导体层具有：第1沟槽；第2沟槽，与第1沟槽交叉；第1导电类型的第1半导体区域；第2导电类型的第2半导体区域；以及第1导电类型的第3半导体区域。

(关联申请的引用)

本申请以日本专利申请2019-167645(申请日：2019年9月13日)为基础，从该申请享受优先的利益。本申请通过参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

为了晶体管的小型化或者高性能化，使用在沟槽内埋入栅电极的纵型晶体管。在纵型晶体管中，漏极-源极间耐压(以下还简记为“耐压”)和导通电阻处于折衷的关系。即，在为了使导通电阻降低而使漂移区域的杂质浓度增加时，耐压降低。相逆地，在为了使耐压提高而使漂移区域的杂质浓度降低时，导通电阻增大。

作为改善耐压和导通电阻的折衷关系的方法，有在纵型晶体管的沟槽内设置场板电极的构造。通过利用场板电极使漂移区域中的电场分布变化，例如，能够在维持耐压的状态下，而使漂移区域的杂质浓度增加。因此，能够在维持耐压的状态下，而降低导通电阻。

发明内容

本发明想要解决的课题在于提供一种能够降低导通电阻的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第1面和与所述第1面相向的第2面，该半导体层具有：第1沟槽，位于所述第1面一侧，在所述第1面中在第1方向上延伸；第2沟槽，位于所述第1面一侧，在与所述第1方向正交的第2方向上延伸，与所述第1沟槽交叉；第1导电类型的第1半导体区域；第2导电类型的第2半导体区域，位于所述第1半导体区域与所述第1面之间；以及第1导电类型的第3半导体区域，位于所述第2半导体区域与所述第1面之间；栅电极，位于所述第1沟槽中；场板电极，在所述第1沟槽中，位于所述栅电极与所述第2面之间；金属区域，位于所述第2沟槽中，与所述第2半导体区域电连接；栅极绝缘层，位于所述栅电极与所述半导体层之间；场板绝缘层，位于所述场板电极与所述半导体层之间；第1电极，位于所述第1面一侧，与所述第3半导体区域及所述金属区域电连接；以及第2电极，位于所述半导体层的所述第2面一侧。

根据上述结构，提供能够降低导通电阻的半导体装置。

附图说明

图1是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2是第1实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图3是第1实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图4是第1实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图5是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图6是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图7是比较例的半导体装置的示意剖面图。

图8是第2实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图9是第2实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图10是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图11是第3实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图12是第3实施方式的半导体装置的示意俯视图。

(附图标记说明)