[发明专利]接合结构有效
申请号: | 202010106441.5 | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111613595B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 佐藤敬;谷口晋;小林英之;折笠诚 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 结构 | ||
一种用于将发光元件和基板接合的接合结构,其包括:形成于发光元件的第1电极、形成于基板的第2电极和将第1电极与第2电极接合的接合层,接合层含有第1接合金属成分和与该第1接合金属成分不同的第2接合金属成分。
技术领域
本发明涉及接合结构。
背景技术
目前,作为将电子零件和基板接合的接合结构,已知有日本特开2011-74484号公报中记载的接合结构。该接合结构通过使覆盖电子零件的电极的焊料和覆盖基板的电极的焊料熔融而将电子零件和基板接合。
发明内容
在此,在将发光元件和基板接合的情况下,要求将两者以适当的状态接合。因此,本发明的一个方面提供一种可以将发光元件和基板以适当的状态接合的接合结构。
本发明的一个方面的接合结构是将发光元件和基板接合的接合结构,其包括:形成于发光元件的第1电极、形成于基板的第2电极和将第1电极和第2电极接合的接合层,接合层含有第1接合金属成分和与该第1接合金属成分不同的第2接合金属成分。
发光元件和基板经由接合层接合。另外,发光元件的第1电极和基板的第2电极经由接合层电连接。接合层含有第1接合金属成分和与该第1接合金属成分不同的第2接合金属成分。这样,在接合层含有彼此不同的第1接合金属成分和第2接合金属成分的情况下,可以降低接合时的熔点。因此,可以将发光元件和基板在低温下接合。如上所述,能够将发光元件和基板以适当的状态接合。
也可以是,接合层具有合金层,合金层由基底金属成分与第1接合金属成分和第2接合金属成分中的一者的接合金属成分的合金构成。
也可以是,接合层在发光元件侧及基板侧具有一对合金层。
也可以是,接合层具有由大致单一的金属成分形成的金属层,金属层由第1接合金属成分与第2接合金属成分的另一者的接合金属成分形成。
也可以是,接合层具有第1接合金属成分和第2接合金属成分混合而成的共晶层。
也可以是,接合层具有由大致单一的金属成分形成的金属层和第1接合金属成分和第2接合金属成分混合而成的共晶层,金属层由第1接合金属成分和第2接合金属成分中的至少一者的金属成分形成,共晶层形成于金属层的周围。
也可以是,接合层具有形成于发光元件侧的第1基底层和第1合金层、形成于基板侧的第2基底层和第2合金层,第1合金层由第1基底层的第1基底金属成分与第1接合金属成分和第2接合金属成分中的一者的接合金属成分的合金构成,第2合金层由第2基底层的第2基底金属成分与第1接合金属成分和第2接合金属成分的一者的接合金属成分的合金构成,第1合金层和第2合金层中的一者的合金层比另一者的合金层薄。
也可以是,接合层具有形成于发光元件侧的第1基底层和第1合金层、形成于基板侧的第2基底层和第2合金层,第1合金层由第1基底层的第1基底金属成分与第1接合金属成分和第2接合金属成分中的一者的接合金属成分的合金构成,第2合金层由第2基底层的第2基底金属成分和一者的接合金属成分的合金构成,第1合金层和第2合金层可以从第1基底层和第2基底层呈辐射状形成。
根据本发明,能够提供一种可以将发光元件和基板以适当的状态接合的接合结构。
附图说明
图1是表示第1实施方式的接合结构的示意侧视图。
图2是表示第1实施方式的接合结构的示意俯视图。
图3是第1实施方式的接合结构的示意截面图。
图4A、4B、4C、4D是表示在发光元件侧形成凸块时的过程的工序图。
图5A、5B、5C、5D是表示在基板侧形成凸块时的过程的工序图。
图6A、6B、6C是表示将发光元件接合于基板时的过程的工序图。
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