[发明专利]一种太阳能电池的硼扩散方法及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的硼扩散方法，该硼扩散方法包括：

将硅片放入扩散炉中并将所述扩散炉中的温度升高至第一温度；

对所述硅片进行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化层；

向所述扩散炉中通入携硼源氮气、中等流量的氮气以及氧气，在所述硅片表面进行第一硼扩散；

向所述扩散炉中通入携硼源氮气、大流量的氮气以及氧气，在所述硅片表面进行第二硼扩散；

向所述扩散炉中通入携硼源氮气、小流量的氮气以及氧气，在所述硅片表面进行第三硼扩散；

降低所述扩散炉中的温度并对所述硅片执行出舟操作。

2.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其中：

在所述第一硼扩散中，所述携硼源氮气的流量是0.05slm-0.8slm，所述中等流量是8slm-20slm，所述氧气的流量是0.05slm-1.2slm，所述第一硼扩散的时长是5min-50min。

3.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其中：

在所述第二硼扩散中，所述携硼源氮气的流量是0.1slm-1slm，所述大流量是20slm-30slm，所述氧气的流量是0.1slm-1.2slm，所述第二硼扩散的时长是1min-20min。

4.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其中：

在所述第三硼扩散中，所述携硼源氮气的流量是0.01slm-0.3slm，所述小流量是2slm-8slm，所述氧气的流量是0.05slm-0.1slm，所述第三硼扩散的时长是1min-20min。

5.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其中，向所述扩散炉中通入携硼源氮气、中等流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第一硼扩散之后，该硼扩散方法还包括：

a、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气，在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下将所述扩散炉炉口区域的温度从所述第一温度升高至第二温度、以及保持所述扩散炉炉中区域和炉口区域的所述第一温度。

6.根据权利要求5所述的硼扩散方法，其中，所述第二温度比所述第一温度高2℃-30℃。

7.根据权利要求5所述的硼扩散方法，其中，向所述扩散炉中通入携硼源氮气、大流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第二硼扩散之后，该硼扩散方法还包括：

b1、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气，在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下将所述扩散炉炉口区域的温度从所述第二温度降低至所述第一温度、保持所述扩散炉炉中区域的所述第一温度、以及将所述扩散炉炉尾区域的温度从所述第一温度升高至第三温度；或

b2、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气，在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下保持所述扩散炉炉口区域的所述第二温度和所述扩散炉炉中区域的所述第一温度、以及将所述扩散炉炉尾区域的温度从所述第一温度升高至第三温度。

8.根据权利要求7所述的硼扩散方法，其中，所述第三温度比所述第一温度高1℃-30℃。

9.根据权利要求1所述的硼扩散方法，其中，向所述扩散炉中通入携硼源氮气、小流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第三硼扩散之后，该硼扩散方法还包括：

c、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气，在提高氮气流量的情况下对所述硅片进行推结操作。

10.根据权利要求9所述的硼扩散方法，其中：

步骤c中所述氮气的流量是8slm-20slm，所述推结操作的时长是2min-20min。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的硼扩散方法，其中，对所述硅片进行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化层包括：

d、向所述扩散炉中通入氧气并保持第一反应时长；

e、在保持氧气流量和所述第一温度均不变的情况下向所述扩散炉中通入携硼源氮气，经第二反应时长后在所述硅片表面形成氧化硅层。