[发明专利]一种太阳能电池的硼扩散方法及太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 202010106900.X | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN111293191A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 殷涵玉;何胜;周盛永;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0288;H01L21/223 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 扩散 方法 制造 | ||
1.一种太阳能电池的硼扩散方法,该硼扩散方法包括:
将硅片放入扩散炉中并将所述扩散炉中的温度升高至第一温度;
对所述硅片进行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化层;
向所述扩散炉中通入携硼源氮气、中等流量的氮气以及氧气,在所述硅片表面进行第一硼扩散;
向所述扩散炉中通入携硼源氮气、大流量的氮气以及氧气,在所述硅片表面进行第二硼扩散;
向所述扩散炉中通入携硼源氮气、小流量的氮气以及氧气,在所述硅片表面进行第三硼扩散;
降低所述扩散炉中的温度并对所述硅片执行出舟操作。
2.根据权利要求1所述的硼扩散方法,其中:
在所述第一硼扩散中,所述携硼源氮气的流量是0.05slm-0.8slm,所述中等流量是8slm-20slm,所述氧气的流量是0.05slm-1.2slm,所述第一硼扩散的时长是5min-50min。
3.根据权利要求1所述的硼扩散方法,其中:
在所述第二硼扩散中,所述携硼源氮气的流量是0.1slm-1slm,所述大流量是20slm-30slm,所述氧气的流量是0.1slm-1.2slm,所述第二硼扩散的时长是1min-20min。
4.根据权利要求1所述的硼扩散方法,其中:
在所述第三硼扩散中,所述携硼源氮气的流量是0.01slm-0.3slm,所述小流量是2slm-8slm,所述氧气的流量是0.05slm-0.1slm,所述第三硼扩散的时长是1min-20min。
5.根据权利要求1所述的硼扩散方法,其中,向所述扩散炉中通入携硼源氮气、中等流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第一硼扩散之后,该硼扩散方法还包括:
a、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气,在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下将所述扩散炉炉口区域的温度从所述第一温度升高至第二温度、以及保持所述扩散炉炉中区域和炉口区域的所述第一温度。
6.根据权利要求5所述的硼扩散方法,其中,所述第二温度比所述第一温度高2℃-30℃。
7.根据权利要求5所述的硼扩散方法,其中,向所述扩散炉中通入携硼源氮气、大流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第二硼扩散之后,该硼扩散方法还包括:
b1、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气,在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下将所述扩散炉炉口区域的温度从所述第二温度降低至所述第一温度、保持所述扩散炉炉中区域的所述第一温度、以及将所述扩散炉炉尾区域的温度从所述第一温度升高至第三温度;或
b2、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气,在保持氮气流量不变或降低氮气流量的情况下保持所述扩散炉炉口区域的所述第二温度和所述扩散炉炉中区域的所述第一温度、以及将所述扩散炉炉尾区域的温度从所述第一温度升高至第三温度。
8.根据权利要求7所述的硼扩散方法,其中,所述第三温度比所述第一温度高1℃-30℃。
9.根据权利要求1所述的硼扩散方法,其中,向所述扩散炉中通入携硼源氮气、小流量的氮气以及氧气在所述硅片表面进行第三硼扩散之后,该硼扩散方法还包括:
c、停止向所述扩散炉中通入携硼源氮气和氧气,在提高氮气流量的情况下对所述硅片进行推结操作。
10.根据权利要求9所述的硼扩散方法,其中:
步骤c中所述氮气的流量是8slm-20slm,所述推结操作的时长是2min-20min。
11.根据权利要求1至9中任一项所述的硼扩散方法,其中,对所述硅片进行前氧化操作以在所述硅片的表面形成氧化层包括:
d、向所述扩散炉中通入氧气并保持第一反应时长;
e、在保持氧气流量和所述第一温度均不变的情况下向所述扩散炉中通入携硼源氮气,经第二反应时长后在所述硅片表面形成氧化硅层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的