[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

权利要求书

1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

a)对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤；和

b)在所述凹部的侧壁形成沿所述凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤，

所述b)包括：

b-1)供给第1反应物，使第1反应物吸附到所述凹部的侧壁的步骤；和

b-2)供给第2反应物，使所述第1反应物与所述第2反应物反应而形成膜的步骤。

2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述b)中，

所述b-1)不使所述第1反应物吸附到所述凹部的整个表面，和/或，

所述b-2)不使所述第1反应物与所述第2反应物在所述凹部的整个表面反应。

3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：

c)在所述b)之后，对所述凹部的底部进行蚀刻，形成高高宽比的凹部的步骤。

4.如权利要求3所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述c)之后还执行所述b)。

5.如权利要求4所述的基片处理方法，其特征在于：

所述被处理体包括基片、形成于所述基片上的蚀刻对象膜和形成于所述蚀刻对象膜上的掩模，

所述基片处理方法还包括：

d)在所述掩模的上部形成预备膜，使所述凹部的开口尺寸减少的步骤。

6.如权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述b)之前执行所述d)。

7.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述凹部的高宽比不足10时执行所述d)。

8.如权利要求5或6所述的基片处理方法，其特征在于：

在从所述掩模的上表面至所述凹部的底部的深度尺寸相对于所述凹部的顶部开口尺寸之比不足15时执行所述d)。

9.如权利要求5至8中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述凹部的高宽比为10以上时，或者从所述掩模的上表面至所述凹部的底部的深度尺寸相对于所述凹部的顶部开口尺寸之比不足15时，反复执行所述a)和所述b)。

10.如权利要求3至9中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述a)或者所述c)之后，根据所述凹部的高宽比，改变所述b-1)和所述b-2)之中至少一者的处理条件。

11.如权利要求1至10中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在反复执行n次以上的所述b)中，通过在第n次的处理和第(n-1)次的处理中改变处理条件，来改变在反复执行的所述b)中形成的所述膜的位置和/或厚度，其中n为2以上的自然数。

12.如权利要求1至11中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在反复执行第n’次以上的所述b)中，通过改变第n’次的处理和第(n’-1)次的处理中使用的所述第1反应物和所述第2反应物，来改变在反复执行的所述b)中形成的所述膜的位置和/或厚度，其中n’为2以上的自然数。

13.如权利要求1至12中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：

在所述b)中，将设置于载置所述被处理体的载置台的能够独立地控制温度的多个区域各自控制成根据该多个区域各自的面内位置而不同的温度，使形成的所述膜的厚度根据所述多个区域的温度变化。